揭秘 BOOST 升压电路高端 MOSFET：体二极管方向与真关断原理解析

最近在研究 TPS61287 等 BOOST 控制器时，不少工程师都困惑：为什么芯片内部高边 MOSFET 的 D 脚接 SW、S 脚接 VOUT，而不是反过来？乍一看，好像这样反接就能实现真正关断，省事又聪明，但实际操作可没那么简单——毕竟，咱们可不能自作聪明比老登工程师更厉害。

这看似小问题，其实牵扯到 BOOST 拓扑的核心工作原理以及 MOSFET 的物理特性。本文将从三个角度，带你剖析设计背后的技术逻辑，保证你看完有种“原来如此”的感觉。

核心结论：高边 MOSFET 反接不可行

经过分析我们得到明确答案：即使是 BOOST 控制器，也不能将高边 MOSFET 的 D、S 脚反接来实现真正关断，否则电路拓扑直接失效，后果可想而知——简直比《狂飙》里掉包还刺激��。

原因分析

原因 1️⃣：体二极管必须在死区时间续流

电感电流不能突变是电力电子设计的基本物理规律：

V=L×didtV = L \times \frac{di}{dt}V=L×dtdi​

如果 dt 太小，di/dt 太大，会产生高压尖峰，轻则冒烟，重则烧毁元器件。

如图所示，BUCK 电路续流机制：

非同步 BUCK

续流通过外接二极管

开关关断时，电感电流由二极管续流

避免电压尖峰，保护器件

同步 BUCK

续流通过低边开关体二极管

死区时间内提供通路

降低导通损耗，提高效率

同理，BOOST 同步拓扑也是这样。在低边关断到高边导通的死区时间内，高边 MOSFET 的体二极管必须提供续流通道。

高边体二极管方向必须从 SW（S 脚）到 VOUT（D 脚），保证电感电流流畅，避免“电压尖峰炸锅”，否则就像把高铁开进地铁轨——不可能顺利运行。

原因 2：体二极管反向会短路输出

如图所示
如果高边 MOSFET 体二极管方向反了（D 脚接 SW、S 脚接 VOUT），在低边导通期间，输出 VOUT 会被直接短接到地，典型压降约 0.7V。

这种情况相当于“河东狮吼”，直接把电路打乱，BOOST 电路拓扑失效，明显不行。

原因 3️⃣：体二极管反向不利于高边驱动

如图所示
若体二极管反向，开通高边 MOSFET 所需栅极电压会升到最高点，驱动电路设计会更麻烦。相比前两点，这个影响小些，但也不容忽视——就像“奶茶店排队打卡”，小细节也可能翻车。

要点回顾

高边 MOSFET 不能随意反接，否则续流失败、输出短路、驱动困难，电路会直接“翻车”。

体二极管方向由电路工作原理决定，不是随便能改的设计参数。

工程设计要基于物理规律和系统分析，不能凭直觉操作。

优秀工程师不仅要知道“怎么做”，更要理解“为什么这么做”。
记住：质疑精神是创新起点，科学分析是保障，实践验证是终极标准！

小彩蛋：如果你是工程小白，想自作聪明反接 MOSFET，一不小心就可能体验“芯片版的跳楼价”——记得三思！