AM2394NE一款SOT23封装 MOSFET参数应用解析

最新推荐文章于 2025-12-10 10:43:08 发布
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#单片机 #硬件工程 #MOS管 #半导体

本文详细介绍了AM2394NE(VB1102M)MOSFET的参数，包括N沟道特性、100V耐压、2A电流能力以及在低电压应用中的优势，特别提及了它在LED驱动、电源开关和电池管理中的适用性。

AM2394NE（VB1102M）
参数描述：
N沟道,100V,2A,RDS(ON),246mΩ@10V,260mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；2Vth(V)；SOT23


型号参数介绍：
AM2394NE (VB1102M)参数说明：N沟道，100V，2A，导通电阻246mΩ@10V，260mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压2V，封装：SOT23。


应用简介：AM2394NE是一款适用于低电压应用的N沟道MOSFET，常见于LED驱动、电源开关和电池管理等领域模块。
其低导通电阻有助于降低电压降和提高效率。

AM2302NE-T1-PF-VB一款N-Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
03-13
AM2302NE-T1-PF-VB是一款采用SOT23封装的N-Channel沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件具有低导通电阻、高效率和紧凑的尺寸等优点，在便携式设备、电源转换器等领域有着广泛的应用。 ### 主要特点 ...
AM2314NE-T1-PF-VB一款N-Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
03-13
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AM2302NE-T1-PF-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
VBsemi的博客
03-12 472
AM2302NE-T1-PF-VB是一款SOT23封装的N—Channel沟道MOSFET，具有20V的额定电压和6A的额定电流。AM2302NE-T1-PF-VB可在需要高性能N—Channel MOSFET的电子设备和模块中提供可靠的功率开关和调节功能。- 开态电阻（RDS(ON)）：24mΩ @ VGS=4.5V, VGS=8V。- 阈值电压（Vth）：0.45~1V。- 类型：N—Channel沟道。- 丝印：VB1240。- 封装：SOT23。- 额定电压：20V。5. LED照明驱动。
AM2314NE-T1-PF-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
VBsemi_MOS的博客
03-12 368
2. **电源转换模块：** 在DC-DC转换器中应用，支持较宽输入电压范围，提供稳定的输出电压，适用于各种电源转换需求。3. **LED驱动模块：** 作为LED驱动器的输出级，通过低导通电阻实现高效的LED控制，用于照明和显示应用。1. **移动设备模块：** 用于电源管理，实现高效的电源开关和电流控制，适用于移动设备的节能设计。4. **电池管理模块：** 适用于充放电控制，确保在低功耗设备中实现高效的电池管理，延长电池寿命。- **封装：** SOT23。- **电压：** 20V。
SMG2342NE-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
VBsemi的博客
06-04 257
SMG2342NE-VB是一款N-Channel沟道功率MOSFET，采用SOT23封装。具有30V的额定电压和6.5A的额定电流。在VGS=10V和VGS=20V时，RDS(ON)为30mΩ。SMG2342NE-VB可广泛用于需要高性能N-Channel MOSFET的电子设备和电路中。SMG2342NE-VB 丝印: VB1330 品牌: VBsemi。- 沟道类型: N-Channel。- 阈值电压: 1.2~2.2V。- 额定电流: 6.5A。- 封装: SOT23。- 额定电压: 30V。
SMG2334NE-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
VBsemi的博客
06-04 327
SMG2334NE-VB适用于需要N沟道场效应管的电路，特别适用于需要控制较高电流和低导通电阻的场合。常见应用领域包括功率管理、电源开关、电流控制等。该器件可用于各种电源模块、电流控制模块和功率管理模块，提供高效的电流控制和功率管理能力。注意：在使用前，请确保按照厂商提供的数据手册和规格说明正确配置和操作该器件。- 导通电阻：30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V。- 阈值电压：1.2~2.2V。- 额定电流：6.5A。- 封装：SOT23。- 额定电压：30V。
AM2320NE-T1-PF-VB一款SOT23封装N—Channel场效应MOS管
VBsemi_MOS的博客
03-12 357
由于其N-Channel特性，通常用于电源开关、驱动电路和其他需要N-Channel MOSFET的电路。VBsemi AM2320NE-T1-PF-VB是一款N-Channel沟道的SOT23封装场效应晶体管。- 开态电阻（RDS(ON)）: 30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V。2. 驱动电路：在电子设备中作为开关元件，例如电机驱动器、LED驱动器等。1. 电源开关：用于控制电路的开关，例如直流-直流转换器。请注意，具体的应用要根据项目需求和设计规范进行调整。
AM2306NE-T1-PF-VB一款SOT23封装N—Channel场效应MOS管
VBsemi的博客
03-12 387
2. **电流控制模块：** 通过其低漏电阻和可调的阈值电压，适用于电流控制模块，实现精确的电流控制。- 静态漏极-源极电阻(RDS(ON)): 30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V。1. **电源模块：** 由于其较高的额定电压和电流，可在电源模块中用于稳定和调节电压。4. **电流放大器：** 由于其N沟道结构，适用于电流放大器电路，用于信号放大应用。3. **开关电源：** 在开关电源中，可用于开关调节，提高电源转换效率。- 类型: N-Channel 沟道。- 丝印: VB1330。
AM2308NE-T1-PF-VB一款SOT23封装N—Channel场效应MOS管
VBsemi_MOS的博客
03-12 314
VBsemi AM2308NE-T1-PF-VB 是一款 SOT23 封装的 N-Channel 沟道场效应管。这款器件适用于需要高效电源管理和控制的应用，如电源适配器、电池管理、和其他需要调节电源的场合。- 主要用途: 用作 N-Channel 沟道场效应管，适合在低电压和中电流应用中工作。- 开启电阻（RDS(ON)）: 30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V。- 用于稳压、开关和电源控制模块。- **参数说明:**- **应用简介:**- **领域应用:**- **模块应用:**
SMG2306NE-VB一款SOT23封装N—Channel场效应MOS管
VBsemi_MOS的博客
06-03 185
VBsemi SMG2306NE-VB 是一款 SOT23 封装的 N-Channel 沟道场效应管。这款器件适用于需要高效电源管理和控制的应用，如电源适配器、电池管理、和其他需要调节电源的场合。- 主要用途: 用作 N-Channel 沟道场效应管，适合在低电压和中电流应用中工作。- 开启电阻（RDS(ON)）: 30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V。- 用于稳压、开关和电源控制模块。- **参数说明:**- **应用简介:**- **领域应用:**- **模块应用:**
AM3456NE-T1-PF-VB一款N—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
VBsemi_MOS的博客
09-19 348
AM3456NE-T1-PF-VB 是一款性能优异的 N-Channel MOSFET，适用于各种低压应用场景。综上所述，AM3456NE-T1-PF-VB 适用于诸多领域和模块，包括但不限于电源管理、电机驱动、开关电路和 LED 灯具驱动等应用场景。3. 开关电路：在开关电源和开关转换器中，AM3456NE-T1-PF-VB 的优异特性可以确保高效能的能量转换和稳定的开关操作。1. 电源管理模块：AM3456NE-T1-PF-VB 可以应用于低压电源管理模块，如电池管理系统和可充电设备的充电电路。
AM2334NE-T1-PF-VB一款N-Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
04-07
AM2334NE-T1-PF-VB是一款采用SOT-23封装的N-Channel沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件具有低导通电阻、高效率等特点，适用于多种电源管理应用场合，尤其是DC/DC转换器中。 ### 特性详解 #### ...
AM2328NE-T1-PF-VB一款N-Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
04-03
AM2328NE-T1-PF-VB是一款采用SOT-23封装的N-Channel沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件具有低导通电阻、高效率等特点，适用于多种电源管理应用场合，尤其是DC/DC转换器中。 ### 特性详解 #### ...
SMG2342NE-VB一款N-Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
06-04
SMG2342NE-VB是一款采用SOT23封装的N-Channel沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。该晶体管具有以下特性： - **最高工作电压**：30V - **连续电流能力**：最大6.5A - **导通电阻**：在VGS=10V时，RDS(ON)=...
STM32CubeMX生成工程不运行 卡在HAL_SYSTICK_Config
weixin_41226265的博客
12-07 591
摘要：STM32F334在Keil 5中运行工程时卡在HAL_SYSTICK_Config函数，原因是Keil未正确加载CubeMX的内存布局配置。解决方法为：在Keil的Linker选项中勾选Use Memory Layout from Target Dialog，确保RAM(0x20000000)和FLASH(0x08000000)地址与CubeMX一致。此操作可修复中断向量表地址错误，使SysTick正常工作。该问题在STM32F3系列中常见，解决后成功率100%。
电机控制是不是就绑死在单片机上了
最新发布
hfc1688的博客
12-10 174
电机控制行业虽普遍依赖单片机实现，但核心价值在于掌握电机控制原理而非特定芯片。熟练使用STM32等单片机虽能保证就业，但真正竞争力来自对磁场定向、无感算法等控制理论的理解。随着硬件平台向RISC-V、DSP等演进，只熟悉特定芯片的工程师易被淘汰，而具备系统思维、能迁移控制算法到新平台的工程师更具发展空间。该行业本质是物理与数学的应用，硬件实现手段会更新，但控制理论功底永不过时。因此，单片机是起点而非终点，持续学习控制原理才能适应行业变革。
工程框架搭建（续）
potato_may的博客
12-07 799
本文介绍了STM32嵌入式系统开发的两个核心模块：系统初始化和任务调度器实现。系统初始化部分指出了常见错误操作（如直接写ODR寄存器）并给出了正确方法，强调时钟使能、GPIO配置和初始状态的正确设置流程。任务调度器部分通过结构体封装任务信息，利用HAL_GetTick()实现基于时间差的任务触发机制，解决了多任务调度问题。文章采用通俗比喻（如"智能管家"）解释技术概念，提供了可直接使用的代码模板，并总结了"初始化三步走"等实用口诀，帮助开发者快速掌握嵌入式系统的基本架
国产32位MCU语音识别方案
EVERSPIN的博客
12-04 336
摘要：国产32位MCU CH32V307为离线语音识别提供高效解决方案。该芯片采用RISC-V内核，支持向量指令集，可运行轻量级AI模型，实现快速准确的离线识别。内置运放和ADC简化外围电路，支持I2S接口扩展音频功能。方案支持离线指令识别，也可扩展为在线系统，适用于家电、工业设备等多种场景。英尚微电子提供相关产品服务。
单片机手搓掌上游戏机（二十二）—pico运行doom之固件和rom上传
lysunbona的博客
12-03 776
把根目录下build/src/doom_tiny.uf2文件复制到这个u盘，开发板就自动重启，但没有任何显示。还需要上传doom1.whx，找到安装环境目录下的picotool文件夹，将这两个文件拷贝到编译的根目录下。按住pico的boot键，将数据线插入电脑usb，会出现一个优盘。拔下数据线，按住开发板boot键，再插入usb。在地址栏输入cmd，进入命令行模式。pico断电重启，开始doom！
AM2340NE-T1-PF-VB：SOT23封装N沟道MOSFET技术规格
AM2340NE-T1-PF-VB是一款N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），采用小型化的SOT23封装，这使得它适合在空间有限或需要高密度布线的电路中使用。这款MOSFET的主要特点包括： 1. **TrenchFET技术**：采用...
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