模拟电路-场效应管放大电路动态分析

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本文探讨了场效应管放大电路的动态分析方法，将其视为两端口网络，通过栅极与源极作为输入端口，漏极与源极作为输出端口进行分析。文章深入研究了在小信号作用下，场效应管的特性可视为线性，并介绍了如何使用lDQ近似id的计算方式。

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场效应管放大电路动态分析

与分析晶体管的h 参数等效模型相同，将场效应管也看成一个两端口网
络，栅极与源极之间看成输入端口，漏极与源极之间看成输出端口。

iD=f(uGs, uds)
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当信号幅值较小时，管子的电流、电压只在Q 点附近变化，因此可以认
为在Q 点附近的特性是线性的，

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在小信号作用时，可用lDQ来近似id, 得出
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Shanner
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2.6 场效应管放大电路
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例如，在N沟道增强型MOS管的共源放大电路中，需要设置适当的栅极电压 𝑉𝑔Vg​ 和漏极电压 𝑉𝑑Vd​，以确保管子在恒流区工作。例如，跨导可以从栅-源电压对漏极电流的影响中计算得出，而输出电阻可以通过观察漏极电流对漏-源电压变化的响应得到。场效应管放大电路的组成方式与晶体管类似，具有源极、栅极和漏极，相应的放大电路接法包括共源、共漏和共栅。本节将重点分析共源和共漏两种类型。根据上述信息，我们可以计算共漏放大电路的电压增益 𝐴𝑣Av​ 接近 1，输入阻抗非常高，而输出阻抗则依赖于外部连接和设计参数。
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