fpga系列 HDL 00 : 闪存FPGA结构与特性 + Microchip低功耗FPGA产品&Microchip FPGA系列产品

参照资料

• Microchip微芯 Microchip FPGA系列产品

FPGA互连技术

SRAM互连

• SRAM依靠双稳态电路（如反向锁存器）来存储每一个比特。速度快，不需要像DRAM那样周期性地刷新其数据，但是数据掉电丢失。

• 工作原理：
  SRAM的存储单元通常由多个晶体管构成，常见的是六个晶体管（6T SRAM单元）。这些晶体管组成一个双稳态锁存器，能够稳定地保存数据。每个存储单元可以存储一个比特数据（0或1），但是一旦电源关闭，存储的数据就会丢失，因此它属于易失性存储器。

闪存互连

• 闪存是一种非易失性存储，它能够在断电的情况下保持数据，因此广泛应用于存储卡、USB闪存驱动器、固态硬盘（SSD）等设备中。
  

• 工作原理：
  NOR闪存、NAND闪存和EEPROM都属于闪存设备。浮栅工艺是闪存技术的核心之一，浮栅晶体管（Floating-Gate Transistor）能通过电荷的积累与释放来存储数据。

  浮栅上的电荷能在没有电源的情况下长时间保持，从而实现非易失性存储。闪存的容量、速度和耐用性通常受到浮栅电荷保持能力的影响

  浮栅工艺中的“浮栅”指的是一个浮动的栅极，它被完全隔离于源极、漏极和控制栅之间。电荷在浮栅中存储，并且浮栅与控制栅之间的电场关系决定了存储单元的电压状态。

  • 编程（写入）：通过施加高电压（通常在几个伏特的范围内）到控制栅，使电子通过栅介质流入浮栅，存储在其中。这个过程称为“编程”。

  • 擦除：擦除操作通过反向电压将浮栅中的电荷驱赶出去，这样浮栅不再携带电荷，存储的状态变为“0”。

  • 读取：读取时通过施加较低的电压，检查浮栅是否有电荷。如果有电荷，