17、射频建模总结与展望

射频建模总结与展望

1. 回顾 MOS晶体管建模的关键点

射频建模是射频电路设计中至关重要的一步，尤其对于MOS晶体管的建模，它直接影响到电路的性能和可靠性。在射频设计中，MOS晶体管的建模不仅仅是描述其直流特性，还需要考虑其在高频下的行为。这包括模型构建、验证、非准静态效应以及频率性能指标等多个方面。

1.1 模型构建

MOS晶体管的建模通常基于紧凑模型，如BSIM3、EKV和MOS Model 9。这些模型在低频应用中表现良好，但在高频应用中，由于缺少某些关键参数，如非准静态效应、衬底电阻网络、物理栅极电阻等，导致其准确度下降。为了弥补这些不足，设计师通常会构建一个子电路模型，该模型结合了紧凑模型和详细的物理布局研究。

示例代码

* 可扩展的射频 MOST模型子电路
* 从电气规则映射 + 布局规则
.param lmin= 0.24u rsh_poly= 2.5 Poly sheet resist. [欧姆/平方]
* 结型二极管参数（来自 BSIM3v3 模型文件）
+ rsh_diffn= 3 BSIM3v3 "rsh"参数; n+ 扩散. 片阻 [欧姆/平方]
hdifn= 3.6e-7 BSIM3v3 "hdif"参数; 2*hdif=最小扩散宽度
cjn= 9.27E-04 BSIM3v3 "cj" for nMOS模型
* 射频版本 nmos 的可扩展子电路 连接的栅极
.subckt rfnmos dr gt sc bk wf=3.5u lf=lmin nf=4 ngt_cnt=1
* 子电路所需的参数：
* ngt_cnt: 每个指状物到金属 1的栅极