版图部分数字门电路项目实操

1.INV反相器：

（1）尽量压缩面积，毕竟芯片面积越小，在单位面积内的晶体管数量也就越多，芯片的性能也就越好，可以节省大量的经费。

（2）在PMOS和NMOS布局上面，通常PMOS在上，NMOS在下，PMOS栅极在下，NMOS栅极在上。在连接上，以栅极对栅极的方式连接。

（3）在画好衬底后，将N衬底的NWell与PMOS的NWell凑在一起，将P衬底的PPlus与NMOS的NPlus紧紧凑在一起，它们两个可以没有间距，再连接vdd33、vss33、gnd，用M1的金属线。

（4）在连线布局上，使用“输入在左，输出在右”的原则。

（5）在连好线之后，先把原点弄好，再标端口。还可以使用v快捷键，v快捷键的作用是粘附，先选中端口标签，再使用快捷键，将它粘附到某一个层次。

（6）看电路先看端口，分析有几个端口，几个输入端口，几个输出端口。

（7）看电路元器件，有什么样的元器件，如有mos管，看哪些是PMOS，哪些是NMOS。

（8）MOS管的Source（源极）和Drain（漏极）是可以进行对调的。

2.NAND与非门：（三版：layout3、layout4、layout5）

（1）器件摆放好之后，先给器件设置标签，这里的小技巧是，使用l快捷键，然后选择自动标签，再用CTRL+A快捷键，所有的器件都会标上标签。

（2）如果在不影响后续走线的情况，打孔最好是打两个以上的孔。如果影响后续的走线，就打一个孔就行。

（3）在一个小模块里面，最好尽量是多用M1的走线，少用M2进行走线，否则会影响后续模块连接之后的走线。

（4）在数字模块里面，可以用GATE层次走线。也可以在器件上方走线。

（5）能源漏共用、漏漏共用和源源共用就共用，可以极大缩减面积。

3.AND与门：

1. 在缩减面积的时候，以版图的实用性为准。
2. 当元器件比较大的时候，可以考虑更改元器件的finger数量，fingers指的是栅极的数量。