集成电路基础工艺和版图设计测试

第一部分、填空题（共30分。每空2分）

1. 当 NPN 晶体管的发射结和集电结都处于正偏时就会进入____状态。
2. 在IC设计中经常用到的UNIX操作系统，其常用的Vi文本编辑器退出并保存的操作为        。
3. 由于其较小的方块电阻，发射区是唯一适合于制作较小电阻（0.5 ~ 100Ω）的区域。对于发射区电子可以忽略__和__。
4. 集成电路即“IC”，俗称芯片，按功能不同可分为       集成电路和     集成电路，按导电类型不同可分为        集成电路和        集成电路，前者频率特性好，但功耗较大，而且制作工艺复杂，不利于大规模集成；后者工作速度低，但是输入阻抗高、功耗小、制作工艺简单、易于大规模集成。
5. 发射区电阻必须置于适合的隔离岛中，通常的做法是发射区电阻制作在基区扩散内，基区扩散又制作在一个____内。
6. 集成电路设计分为全定制设计方法和半定制设计方法，其中全定制设计方法又分为基于        和       的设计方法，芯片利用率最低的是基于        的设计方法。

第二部分、不定项选择题（共45分。每题3分，多选，错选不得分，少选得1分）

【1-8题为单选题，9-20题为多选题】

1、若双极型晶体管发射区浓度为Ne,  基区浓度为 NB,  集电区浓度为 Nc,  为了获得较高的 电流增益，各区掺杂浓度之间的关系是（