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RSS订阅原创 小白仿真电路之曲线仿真1
以绿色这条线vgs=1V为指导，此时vth=457.33m，当vds>vgs-vth（542.67m）时，管子进入饱和区。下面这个图说明，只要957.33m>vgs>457.33m，这个范围内，管子处于饱和区，即vgs-vth<vds。以黄色线的vds=500m为例，vds+vth=957.33m。我的这个管子的vth是457.033m，此时vgs>vth时，管子导通，开始有电流通过。4.第一步是看vgs变化的曲线，所以参数变化中是vgs变化。我这个工艺最小是180u，我选的是5倍。3.如何查看ids？
2025-03-01 10:03:29
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原创 或非门组成的SR锁存器真值表相关问题
问题描述：或非门组成的SR锁存器，为什么当SD和RD等于0时候的真值表一个是Q=0，Q'=0.一个结果是Q=1，Q'=1？PS：主要是给大家抛砖引玉，不喜勿喷。
2025-02-14 22:00:59
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原创 小白学电路之cadance搭建buffer电路
Buffer（缓冲器）是一种放大器或驱动电路，主要用于隔离输入和输出，以防止负载对前级电路造成干扰或影响。本文作者在电路方面是小白水平，目前正在学习，有不足之处欢迎指正。3.创建新的cellview，对此buffer进行仿真验证。2.创建buffer的symbol。电路中的V2的详细参数。
2024-12-07 11:09:47
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原创 小白学电路之噪声仿真
其中，K=1.38*10^（-23），T=300k ，这个k不是千，就是一个代表。在最下面这里选择积分iteg，然后选择到中间这个框再加一个开根号**0.5.最后送入仿真面板。从公式P=kt/c可知，增大电路的电容会降低输出噪声功率，但是增大电阻其实对这个影响不大。可以看到沟道热噪声和电阻的噪声还是不变的，是因为在公式中，它们的噪声功率就与频率无关。右键选择send to，之后送到cauculator中，fn是管子的闪烁噪声，id是沟道热噪声。2.设置相对应的值，看管子是否在饱和区。
2024-11-04 11:04:04
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原创 小白学电路之频率仿真
我这个电路的fT=2.501*10^6，所以最后放大倍数上限在这里，此时要注意极点和零点对电路放大倍数的影响。从上图可以看出跨越一个量级大约下降了-37dB的一个量，这不太对，应该是下降20dB的一个量猜对。如果最后电路的fT大于这三条线中的任意一个的话，那么就不用管那个点对电路放大的影响。1.看零点给上限，因为我的零点是626M，所以我给的AC仿真上限是1000G。修改输入的电阻为0，发现这边的极点丢失，是因为公式。可以看出输入的极点对带宽的影响是最大的。零点和输出的极点不变，也是因为公式。
2024-10-20 20:35:52
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原创 小白学电路之OTA仿真
要让三个管子同时在饱和区，就发现我这个电路只有输入偏置在1.743v-2.16v之间这三个管子都是饱和的。所以我设置的V2的vdc=2V是合理的。2.设置M0、M1、M5的管子的长度都是1uM，管子的M不变，变的是其finger，这是栅的个数，这会减小某效应，具体我忘了，请大家帮助指正。M1是肯定在饱和区的，M3因为和M2是电流镜结构，所以就可以视为一个。两边的V2和V3是没有DCvoltage的，直流偏置的2V的voltage在V4上。注意：右边的V2是有一个180度的翻转的。6.vsin的设置参数。
2024-10-18 23:28:18
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原创 小白学电路之电流镜仿真
主要是看下面这个区域是否同时变化，可以修改R的值使得这两个管子的饱和区与线性区的变化趋势大概一致，i2*R的值要等于绿色线这里面的Vth，查看得知其Vth为1.2V，所以直接设置R为40Ω。candance搭建的电路图中M2和M3的vgs和vds是一样大的，所以M2和M3不用管，主要是保证M1和M0的vds和vgs保持一致，如果它们一致，这个电流镜的电流就复制成功了。M1和M2的vgs是一样的，但是由于右边给了一个vds，所以两边输出的id是不一样的，主要是因为两边的vgs不同导致的沟道调制效应引起的。
2024-10-18 23:12:02
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原创 小白学电路之拉扎维第三章差分电路仿真实现
根据这两个公式可以解释vcm1mvcm2曲线为什么是最高的增益那条线，输出摆幅也大。中间交叉的那个点就是VDD-RDIss/2=2.5-0.45=2.05V。点击vdc之后选择输出节点，最后点击第三步的按钮，放入仿真面板中。如果在合理的范围内，这个输出图像是不会随着vbias的变动而变动的。电压是看第二个参数的，最高是2.5V，最低是1.6V。VCM2先设置为0，看VCM1的变化。最后设置一个这个，看输出图像。只看vcm1mvcm2输出曲线。
2024-10-13 17:35:29
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原创 小白学电路之利用Candance搭建拉扎维第三章图3.4运放
由图3 dc仿真图示中可知设置的VGS是1v，所以定位红框得知输入为1V的直流时，直流输出为2.13V。根据查看到的Vth定点，确定Vin的大小。如果是仿真的横坐标频率为单位 ，是AC仿真。根据公式Av=-gm*（RD//ro）可得 ：Av=139u*20k=2.78V。1.根据《模拟CMOS集成电路设计》第三章电路图3.4（a）搭建电路。图4《模拟CMOS集成电路设计》第三章电路图3.4（b）图1 《模拟CMOS集成电路设计》第三章图3.4。3.查看电路的状态是否符合图3.4（b）的状态。
2024-10-08 15:38:48
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原创 Candance仿真二阶米勒补偿OTA
1.OTA电路搭建目标——25Mhz GBW，65dB的增益。然后那个CL就是两边的那个CCa或CCb的大小。实现步骤：应该是从下面这个公式开始推导。3.candance电路搭建。算出来就是gm=75us。
2024-10-04 23:13:54
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原创 Candance仿真电流镜OTA
经过调整M1和M0的宽长比为32倍，M2和M3的宽长比为8倍，M5和M6的宽长比为8倍变成了图5。（这是手工设置的，为什么这么给还没找到说明的理由）调整的时候要都保证所有的管子都是在region——>2(饱和区)。最终将M14的长宽高比例调为15000n:500n,，M11、M13的长宽高比例调为45000n:500n，M12的长宽高比例调为90000n:500n，最终实现所有的管子都在饱和区工作。图5中所有的电流源都是理想的，不行，需要改成电流镜复制的电流。图7 在图6中M12的工作状态。
2024-09-29 23:20:49
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原创 小白学candance之拉扎维共源极单级电路仿真
4.进一步增大Vin，在输出曲线上可以明显看到Vout下降更多，管子继续工作在饱和区，因为其还满足0<VGS-VTH<VDS(饱和区公式)。2.当Vin接近VTH时，晶体管导通，不论VDD和RD为何值，M1导通后工作在饱和区，0<VGS-VTH<VDS(饱和区公式),因为S点的电位为0，只剩下G与D点的电位进行比较，刚开始D点的电位=VDD，直流电，很大，所以VGS-VTH<VDD。5当Vin>Vin1的时候，M1工作在线性区，M1上的电流此时满足线性区公式。1.当晶体管截止的时候，Vout=VDD.
2024-08-06 22:10:03
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原创 小白跟做江科大32单片机之定时器
/将结构体变量交给TIM_TimeBaseInit，配置TIM2的时基单元。如果计数值与存储在自动重装载寄存器中的值相等，计数器清0，产生更新中断和更新事件，然后更新到NVIC，向上的那个表示中断，向下的表示更新事件。//选择配置NVIC的TIM2线。
2024-06-15 07:50:38
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原创 小白跟做江科大32单片机之旋转编码器计次
原理部分按照下面这个链接理解即可y小白跟做江科大32单片机之对射式红外传感器计次-优快云博客https://blog.youkuaiyun.com/weixin_58051657/article/details/139350487。
2024-06-02 09:38:22
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原创 小白跟做江科大32单片机之对射式红外传感器计次
if(EXTI_GetITStatus(EXTI_Line14)==SET) //判断是否是外部中断14号线触发的中断。
2024-06-01 23:05:43
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原创 小白跟做江科大32单片机之按键控制LED
/将赋值后的构体变量传递给GPIO_Init函数。if(GPIO_ReadOutputDataBit(GPIOA, GPIO_Pin_2)==0) //获取输出寄存器的状态，如果当前引脚输出低电平。
2024-05-30 20:33:57
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原创 小白跟做江科大32单片机之蜂鸣器
1.复制之前编写的工程库项目，详细工程库创建过程如下链接：小白跟做江科大32单片机之LED闪烁-优快云博客2.按照江科大老师给的图片进行连接蜂鸣器3.修改main.c代码/*开启时钟*///开启GPIOB的时钟//使用各个外设前必须开启时钟，否则对外设的操作无效/*GPIO初始化*///定义结构体变量//GPIO模式，赋值为推挽输出模式//GPIO引脚，赋值为第12号引脚//GPIO速度，赋值为50MHz。
2024-05-29 17:02:09
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原创 小白跟做江科大32单片机之LED流水灯
/0000 0000 0000 0001，PA0引脚为低电平，其他引脚均为高电平，注意数据有按位取反。//0000 0000 0000 0010，PA1引脚为低电平，其他引脚均为高电平。//0000 0000 0000 0100，PA2引脚为低电平，其他引脚均为高电平。//0000 0000 0000 1000，PA3引脚为低电平，其他引脚均为高电平。//GPIO引脚，赋值为所有引脚。
2024-05-29 16:57:08
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原创 小白跟做江科大32单片机之新建工程
3.将固件库\STM32F10x_StdPeriph_Lib_V3.5.0.zip\STM32F10x_StdPeriph_Lib_V3.5.0\Libraries\STM32F10x_StdPeriph_Driver\inc下的文件全部复制到刚刚新建的library文件夹下，这都是头文件。//GPIO引脚，赋值为第13号引脚。
2024-05-24 11:59:07
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原创 小白跟做江科大32单片机之学习准备
在线安装支持包——>在keil5软件下点击这个，即可进入更新支持包界面。1.安装好51MDK之后，出现不能正常安装支持包的情况。
2024-05-24 10:33:33
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原创 基准电流源电路仿真
不用选择ok，直接点中四条线，中间第2条曲线如果出现那样一个小波动后面没有起伏就说明成功了。3.添加tran仿真，因为加入启动电路主要看的就是tran仿真。先点这个main form。2.更改vpluse属性。
2024-05-14 21:57:44
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原创 小白跟做江科大51单片机之DS1302按键可调时钟之再感
之前做的代码想自己做一次，了解一下自己的能力，结果发现自己还有很多没理解，只是在跟着江科大的老师敲而已，下面是2024年5月11的一次新感悟。
2024-05-11 23:21:41
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原创 基准电流源仿真
1.记得选择PNP之后，直接按Q就可以直接选择并联个数，不需要用器件。注意连线PMOS必须连接到VDD上，NMOS练到GND上。8.参数仿真，模拟最好的与温度无关的电阻系数比。2.记得调整放大器如图所示，否则会出错。3.记得先调整PMOS的宽长比。4.按比例调节R2和R3的阻值。5.仿真的时候，DC选择这些。6.温度可以选择这些。
2024-05-08 20:29:40
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原创 Candance画运算放大器
对于m=1的管子，总沟道宽度=单个沟道宽度*finger数。为使得NMOS晶体管可以容纳更多的电流通过，所以Nmos的沟道长度设置为4个。调整好之后就可以仿真。此电路图中两个NMOS栅极互联是因为NMOS的衬底要接片上最低电压。所以要两个互联并接到最低点。增益主要是gm和R0，所以调整PMOS的W和L成为5和2，NMOS的W和L成为20和1。因为两条支路上的器件都是一样的，所以这两条路平分idc的直流电流。测试的时候要加上下图这两个电源。
2024-05-07 15:18:49
862
原创 Candance小白画反相器
（小写），可以调入元器件，点击Browse可以进行选择是哪个库下面的元器件，由于我们刚刚已经把我们自己新建的库链接到了SMIC工艺库，因此我们就选择smic工艺库下面的MOS管子就OK了。注意：cadence软件操作结束后并不会自动退出，需要手动按Esc键才可以退出，因此再进行下个操作之前一定要记得按ESC！，这个代表是电路原理图，需要的就是电路原理图，点击OK进入电路中。2. learn_fxq右键open in Terminal。，要想新建一个反相器电路，这里的type一定要选择。
2024-03-29 17:22:49
762
原创 小白跟做江科大51单片机之红外遥控
if((IR_Data[0]==~IR_Data[1]) && (IR_Data[2]==~IR_Data[3])) //数据验证。//如果计时为2250us，则接收到了数据1（判定值在12MHz晶振下为2250，在11.0592MHz晶振下为2074）IR_Data[IR_pData/8]&=~(0x01<<(IR_pData%8));//为0表示数据不重写，为1表示数据重写。//存储数据中的地址，便于调用与显示。
2024-03-10 16:21:56
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原创 c++提高部分
/创建了一个vectorPerson容器Person p1("伞兵1", 21);Person p2("伞兵2", 22);Person p3("伞兵3", 23);Person p4("伞兵4", 24);Person p5("伞兵5", 25);//将数据插入到数组中itBegin!itBegin++)
2024-03-08 16:08:01
1285
原创 c++_leran
数组，就是一个概念，里面存放了相同类型的数据元素特点1：数组中每个数据元素都是相同的数据类型特点2：数组是由连续的内存位置组成的一维数组定义的三种方式数据类型 数组名 [数组长度];数据类型 数组名 [数组长度]={值1，值2…};数据类型 数组名 [ ]={值1，值2…};数组特点：放在一块连续的内存空间中，数组中每个元素都是相同的数据类型。示例int main()//1.数据类型 数组名 [数组长度];
2024-03-08 16:06:24
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原创 小白跟做江科大51单片机之AD/DA
测量X+，根据单端模式输入配置图，A2-A0可以为001，也可以为011，以001为例，故命令码为1001 1100即0x9C，以此类推在XPT2046.h下定义一下命令。
2024-03-08 15:56:46
1003
4
原创 小白跟做江科大51单片机之LED呼吸灯和直流驱动电机
latency++) //保持一个状态20次。latency++) //保持一个状态20次。time--) //翻转改变亮灭时间，由亮到暗。for(time=0;time++) //改变亮灭时间，由暗到亮。//延时100-time。//延时100-time。void Delay(unsigned char i) //需要用这个延时函数，以前的延时只是1us。
2024-03-07 09:18:30
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原创 小白跟做江科大51单片机之LCD1602滚动显示效果
/表示开始写，写命令和写数据都是WR=0。//表示开始写，写命令和写数据都是WR=0。//RS为高电平时表示发送的是数据。//RS为高电平时表示发送的是数据。#define LCD1602_lCD0 P0 //因为是并口通信，一个就行。#define LCD1602_lCD0 P0 //因为是并口通信，一个就行。
2024-03-06 17:24:37
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原创 小白跟做江科大51单片机之DS18B02按键控制效果
1.新建项目导入AT24C02、Key、Delay、LCD1602、DS18B02相关文件。{//如果阈值非法，则设为默认值。//显示超过阈值部分。DS18B02按键控制模块实现效果。2.编写main.c函数。
2024-03-05 22:42:23
1414
原创 小白跟做江科大51单片机之DS18B02在LCD上显示温度
/从机OneWire_DQ释放总线，如果Bite==0表示到此处释放，延时60us。//从机OneWire_DQ释放总线，如果Bite==0表示到此处释放，延时60us。//主机释放总线，0表示继续写，1此处释放，表示延时10us发送。//主机释放总线，0表示继续写，1此处释放，表示延时10us发送。#define SKIP_ROM 0xCC //跳过ROM。//延时50us，为了弥补到60us。
2024-03-05 17:51:44
1629
1
原创 小白跟做江科大51单片机之AT24C02数码管效果
@retval 按下按键的键码，范围：0,1~4, 0表示无按键按下。* @retval 按下按键的键码，范围：0~4，无按键按下时返回值为0。* @param Number 要显示的数字，范围：段码表索引范围。* @param Location 要显示的位置，范围：1~8。* @brief 按键驱动函数，在中断中调用，为了消抖。//按键1按下一次停止，再按还继续运行。1.导入Timer0、Key、Nixie相关内容。//按键2按下一次清0。//按键3按下内存计数。//按键4按下内存读数。
2024-03-04 20:31:06
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原创 小白跟做江科大51单片机之AT24C02数据存储
unsigned char I2C_Receive(void) //这里不需要参数Data。#define AT24C02_ADDRESS 0xA0 //默认地址。I2C_SDA=0;//在终止之前，SDA有可能是0，有可能是1。//SCL在I2C复合的时候有可能为低电平。* @param ACK_select 应答位，0为应答，1为非应答。//低电平不允许读取，所以要为1。//SDA就是应答位。//SDA要换为低电平。//SCL要换为低电平。//K3按键，向AT24C02写入数据。
2024-03-04 18:43:52
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