1.电路搭建
为消除沟道调制电阻效应,L一般选晶体管最小尺寸的4-6倍。
我这个工艺最小是180u,我选的是5倍。
2.设置参数
3.如何查看ids?
outputs下面有一个to be plotted,选择NM0的D端那个红方框即可。
4.第一步是看vgs变化的曲线,所以参数变化中是vgs变化
5.图像展示
6.改变vds的大小,扫参。
7.设置vds为默认变量。
8.扫参vgs
9.分析
我的这个管子的vth是457.033m,此时vgs>vth时,管子导通,开始有电流通过。
以黄色线的vds=500m为例,vds+vth=957.33m。注意这个图的X坐标轴是vgs。
下面这个图说明,只要957.33m>vgs>457.33m,这个范围内,管子处于饱和区,即vgs-vth<vds。
以绿色这条线vgs=1V为指导,此时vth=457.33m,当vds>vgs-vth(542.67m)时,管子进入饱和区。