关于BUCK-BOOST电路的负压生成

在一些实际应用中,我们时常会用到需要提供负压的场合。针对负压的设计,小白之前就讲述过一种方式,即采用charge pump的方法。然而呢,由于其带负载能力的不足,往往在一些设计中不被采用。同时,小白之前还见到过呦采用变压器隔离绕组反接的方式生成负压,然而并不是所有电路都需要用到变压器,磁性元件的设计在一些场合中都是被避免的。

所以,还有哪种方法可以生成负压呢?

今日小白就带大家看一看DCDC电路中的BUCK-BOOST电路,在一些OLED驱动芯片中,其往往会被运用到。

对于DCDC电路,小白在之前的文章中就写过BUCK电路,BOOST电路。其主要起到了降压与升压的电路。然而今天要讲的这种电路,可以说是其二者的结合,既能实现升压,也能实现降压。
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图为最简单的BUCK-BOOST电路。主要用到了电源V1 MOS管 肖特基二极管 电容 负载电阻 以及PWM控制器。看到这几样电子元器件,感觉是不是很熟悉,其与之前学习的BUCK电路BOOST电路采用的器件几乎一模一样。

MOS管选择的是PMOS管,其栅极由PWM进行控制。只要满足Vgs<Vgs(th)即可实现MOS管的导通。
MOS管相当于开关的作用,控制所在支路的断开与闭合。
当栅极为高电平时,Vgs>Vgs(th),此时MOS管断开,其所在的支路不导通。
当栅极为低电平时,Vgs<Vgs(th),此时MOS管闭合,在不考虑压降的情况下,其相当于导线的作用。

所以,此电路分两种情况进行讨论。
(1) 当MOS管导通时,电流流向:V1正极→C1→V1负极 C1正极→Q1MOS管→L1电感→C1负极。此时电感将电能转换为磁能进行储能,流过其两端的电流逐渐增大,由于电感具有阻碍电流变化的特性,所以对于其极性而言,表现为上正下负。同时C2电容放电,给负载进行供电。
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(2) 当MOS管断开时,电感的磁能转换为电能,因为流向其两端的电流逐渐变小,且其具有阻碍电流变化的特性,所以对于其极性而言,表现为下正上负。电流流向:V1正极→C1→V1负极 L1下端→C2&负载电阻→肖特基二极管→L1上端。电容C2被充电。
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根据电感的秒伏定律:
VinTon=-VoutToff
VinDT=-Vout(1-D)T
Vout=-Vin*D/(1-D)

当占空比小于50%时,输出为降压。
当占空比大于50%时,输出为升压。
常规的BUCK-BOOST电压,输出与输入极性相反,输出表现为负压。

电路特征
输出电压可大于/等于/小于输入电压
输入/输出电流断续
输出电压是负压
MOS管、二极管端压为(VIN+VOUT),对器件耐压要求较高。
虽说,BUCK-BOOST电路既能实现升压,也能实现降压,然而就效率而言,其还是要低于单纯的BUCK电路或者BOOST电路,所以在使用时,还是需注意余量。

### 74HC573 芯片引脚图及其功能 74HC573 是一款常用的八位透明 D 型锁存器,具有三态输出特性。以下是其主要特性和引脚定义: #### 特性 - **三态总线驱动输出**:支持与其他设备共享同一数据总线。 - **置数全并行存取**:允许同时对所有输入进行操作。 - **缓冲控制输入**:提供独立的输入使能 (LE) 和输出使能 (/OE) 控制信号。 - **抗干扰设计**:使能输入带有滞回特性,提高噪声抑制能力。 #### 引脚定义 | 引脚编号 | 符号 | 功能描述 | |-----------|---------|--------------------------------------------------------------------------| | 1 | /OE | 输出使能端,低电平有效。当此引脚为低时,输出端呈高阻态[^2]。 | | 2~9 | D0-D7 | 输入端,用于接收待锁存的数据信号。 | | 10 | GND | 地,电源负极。 | | 11 | LE | 锁存使能端,高电平有效。当此引脚为高时,输入数据被传递到内部锁存器[^4]。 | | 12~19 | Q0-Q7 | 输出端,反映当前锁存的状态。 | | 20 | VCC | 电源正极,通常接 +5V。 | #### 工作原理 - 当 `LE` 为高电平时,输入数据 (`D0-D7`) 被传输至内部锁存器。 - 当 `LE` 为低电平时,锁存器保存最后传入的数据。 - `/OE` 控制输出状态:低电平时启用输出,高电平时输出进入高阻态。 --- ### 使用注意事项 在 Proteus 中模拟多个 74HC573 并联输出时,可能会遇到黄色警告框提示电平冲突。这是因为多个器件的输出端直接相连可能导致竞争状态。解决方法如下: 1. 确保每次只有一个 74HC573 的 `/OE` 设置为低电平,其余设置为高电平以禁用输出。 2. 验证所有器件的 `LE` 和 `/OE` 是否按照预期配置。 3. 在硬件调试中,注意避免短路或错误连接。 以下是一个简单的 C51 示例程序,展示如何通过单片机控制 74HC573 的工作状态[^5]: ```c #include<reg52.h> #define DATAs P2 sbit LE_573 = P0^0; void delay(unsigned int t); void main(void) { DATAs = 0; LE_573 = 1; // 启用锁存 for (; 1;) { DATAs = 85; // 发送数据 01010101 到 74HC573 delay(1000); DATAs = 170; // 发送数据 10101010 到 74HC573 delay(1000); } } void delay(unsigned int t) { unsigned int i; unsigned char j; for (i = t; i > 0; --i) for (j = 110; j > 0; --j); } ``` --- ### 数据手册获取方式 可以通过以下途径下载官方数据手册: 1. 访问制造商官网(如 NXP 或 Texas Instruments),搜索型号 “74HC573” 下载 PDF 文件。 2. 使用搜索引擎查询关键词:“74HC573 datasheet”,访问可靠的技术文档网站。 ---
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