关于STM32G070RBTx单片机使用HAL库往flash写数据的过程中死机问题

最新推荐文章于 2025-04-16 10:56:21 发布
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分类专栏： STM32 文章标签： 单片机 stm32 嵌入式硬件
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本文链接：https://blog.youkuaiyun.com/wanghongshuai1/article/details/136561914
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文章讲述了在使用STM32G070RBTx单片机时，遇到的关于FLASH写入数据过程中的问题，涉及强转类型、数据包处理和大小端影响。作者首先描述了原始问题，然后提出将数据先存入uint64_t并调整数组顺序，最后发现是由于栈顶地址判断中的大小端问题导致的失败。

摘要生成于 C知道 ，由 DeepSeek-R1 满血版支持， 前往体验 >

1.单片机型号:STM32G070RBTx

2.出现的问题

        根据库函数FLASH_If_Write()的使用，我们分析往flash写数据的过程是把uint8_t 类型的数据(p_data)以地址的形式强转成uint64类型的，在一包128字节的数据时一次存储8位，存16次(packet_size/8)，下边是原本的逻辑代码,程序卡死在下面框起来的位置:

定义ramsource变量为:uint32_t ;

3. 解决

        选择换一种思路，把传过来的数据先存到uint64_t类型的数据中，然后把数组传过去，代码片段如下所示:

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嵌入式|蓝桥杯STM32G431（HAL库开发）——CT117E学习笔记09：EEPROM
weixin_44800059的博客
03-08 2467
上一节我们学习了LCD转换，这节课学习一下EEPROM。学习EEPROM芯片之前要先学习一下它所使用的IIC协议，它通过这个协议和单片机进行通讯。一、IIC协议IIC是一个总线协议，它可以用于主器件与从器件之间交换数据使用。主器件就是我们所用的单片机了。IIC协议需要用到两根线，一根数据线，一根时钟线，不同于单总线协议只有一个I/O口。所以IIC可以提高通讯速率。IIC协议是一个通用的协议，有很多芯片都是用这个协议进行通讯的，EEPROM就是其中之一。
解决STM32G0B1 串口DMA 空闲中断接收数据中途失效问题
HanGo_Linker的博客
07-26 6765
解决STM32G0B1 串口空闲中断DMA 串口失效问题 Overrun
STM32G030F6P6读写flash失败问题（HAL）
m0_51274562的博客
12-27 5082
最开始做项目选用的单片机是STM32F030F4P6，但是在后期使用中发现，我的FLASH（16K）不够用了，就选择了STM32G030F6P6来进行项目使用，主要是价格便宜，资源够用。在F030使用的flash拿到G030上来发现不可使用，就进行了一些修改，但是这个时候就出现了报错，在进行flash擦除的时候报错。但是手册给出是64位写，所以这里进行了报错，然后将这里改成下面函数，整个程序的读写就没有问题了，在此问题就得到了解决。返回我打印了这个error到底是多少，发现其值为0x80，发现报的错误是。
STM32G070xx_读写内部FLASH驱动.rar
01-16
STM32G070xx读写内部FLASH，本人使用STM32G070RET6芯片，使用LL库已调通，由于都是寄存器配置，使用HAL库时修改定义后也是可用；与STM32L4xx芯片配置基本相同，修改少量寄存器即可；
stm32g070 hal Flash IAP 擦除错误，问题记录
最新发布
yuhu0012的博客
04-16 188
总结：Flash 擦除需要清除SR register FLASH->SR = FLASH_SR_CLEAR;做一个项目时候，用G070 片子，以前测试时候，是好的，可能是跟新了cubMax，导致现在Flash擦除是坏的。定位到报错函数 FLASH_WaitForLastOperation() returning HAL_ERROR。发现是在HAL_FLASH_Unlock（）后，需要清除SR寄存器。使用是标准Hal库文件，竟然会出现错误。加入上述代码后，问题故障解除。
STM32G070 内部flash写第二次出错
weixin_38406287的博客
05-17 413
同一个flash地址写入相同数据，第一次能写，没有错，第二次写都还没写就出现PGAERR和PGSERR错误，非常魔幻。直接说答案，程序有野指针或者越界指针操作，我这边是看门狗没调用初始化😂就喂狗，跟我上一篇文章一样的错误，哈哈哈。标题说的很奇怪是吧，没错就是这个情况，我主管遇到的。
用单片机 内部FLASH 记录数据时程序易卡死
qq_43632710的博客
02-27 1329
使用单片机STM32F429的内部flash存储数据时，程序易卡死
STM32G070系列芯片擦除、写入Flash错误解决
qq_48211392的博客
08-03 1568
在用G070KBT6芯片调用HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &PageError)时，调试发现该函数返回HAL_ERROR，最后定位到FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_TIMEOUT_VALUE)函数出现错误，pFlash.ErrorCode为0xA0，即FLASH错误标志位 FLASH_SR_PGSERR和FLASH_SR_PGAERR被置位；在网上找半天找不到问题原因，最后在。
stm32写内部flash程序卡死
qq_21401715的博客
02-21 6482
情况是刚开始在串口中断中擦除和写内部flash内容，只要执行 write_gw_mid_to_flash()这条语句，stm32有很大概率卡死，软件看门狗也不起作用。后来把write_gw_mid_to_flash()放在main()函数的while(1)循环里面执行，依然是这个现象。 出现上述情况，我只在一块电路板试了多次，既然出现这种情况，我总结今后如果设置内部flash...
STM32F103C8T6使用HAL库驱动DHT11温湿度传感器
06-05
DHT11温湿度传感器使用说明： https://blog.youkuaiyun.com/mcu_fang/article/details/124686729 IO口操作为HAL库生成，读IO口时未使用while死等，DHT11温湿度传感器未连接时也不会造成程序死机，本驱动可移值至其它单片机
STM32CubeMX HAL库串口+DMA数据发送不定长度数据接收,解决第一笔数据无法收发问题
开发
09-10 3337
STM32 实现使用Command自动进入USB DFU的功能 目的: 为了实现方便的进入DFU模式,快速更新固件,所以想使用备份区域的寄存器作为标志来判断是否要进行DFU模式. 使用工具: STM32CubeMX 6.01 生成代码 DfuSe V3.0.6 DFU驱动 STM32虚拟COM端口驱动程序 在App端需要用到USB虚拟串口来发送进入DFU的指令 编译工具可以使用IAR或KEIL,依照个人习惯,本文使用KEIL 5 DFU代码生成: STM32CubeMX部分: 打开STM32C
stm32f030f4串口与flash读写一起使用时出现卡死现象
07-18
在使用stm32f030f4芯片时，用到串口和内部flash读写。无论串口（中断方式和查询方式）还是flash读写，在单独使用时都没有问题。可一旦两者一起使用，便会出现芯片卡死现象。
STM32F4xx内部flash读写(优化后可靠稳定)
10-27
针对 STM32F4xx 的内部flash的读写操作，经本人优化，运行稳定可靠。
STM32G030C8T6读写flash
06-14
最近选型使用STM32G030这款芯片，由于做的功能需要频繁读写flash，最开始没有注意到芯片的擦写次数是1000次，为了确保功能实现，只能是每次写入flash时判断当前页是否写满，写满才擦除重新开始写；每次需要写入flash的数据长度小于128字节，以128字节计算，每一页可以写入16=2048/128 次； STM32G030C8T6最少可以写入16000次；如果对写入次数需求高的，可以减少每次写入数据的长度;文档测试的是64长度，支持多长度（8的倍数）写入
stm32G070CBT6A，OTA, IAP升级
04-13
stm32G070CBT6A的OTA升级程序，采用IAP方案，数据用串口Ymodem协议传输bin文件，输入2开始等待下载并写入，输入3跳转到用户APP，跳转成功打印hello world. 从APP跳转到bootloader可通过按键方式。
STM32 flash擦写死机
u012841414的博客
05-23 3467
在调试BootLoader的时候发现，APP中在擦写flash的时候造成了设备死机，后来发现在startup_stm32f103xb.s文件中设置的Stack_Size不一致造成的。将BootLoader和APP代码改为一致后该问题解决。 分析原因：在bootloader中设置stack（栈）大小，在APP中不会设置这一部分，设置的大小过小，在操作flash时造成了stack溢出死机。 ...
嵌入式开发--STM32G030C8T6，写片上FLASH死机CFGBSY和写入出错
深圳五月花--老李的森林
08-16 1046
G0系列，写片上FLASH时，经常死机，而且按复位键都没用，属于不断电都救不回来的那种死法。这种情况一般是由硬件置位了某个标志导致，只有断电才能故障复原。
stm32的HAL库函数flash无法写入的问题
m0_51482794的博客
07-22 5895
在使用HAL库中的HAL_FLASH_Program(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint64_t Data)函数时发现总是没办法写入（明明写之前使用void FLASH_PageErase(uint32_t PageAddress)函数擦除了flash），查阅资料说是可能是因为固件库HAL_FLASH_Program函数有问题，建议换成寄存器直接操作，但是换成后发现仍有问题，读写入地址的数据任然是0xffffffff。以上可以猜测一下，可能是。
单片机内部FLASH读写失败问题分析
strongerHuang
08-16 1955
关注+星标公众号，不错过精彩内容转自|STM32FLASH，指Flash Memory，是一种非易失性存储器（闪存），掉电能正常保存数据。现在，大部分单片机内部Flash都可以进行读写编程操作，但有时候会因为各种原因导致操作失败，今天就结合STM32给大家分享一下常见的问题。STM32的存储器通常包含内部SRAM、内部FLASH，部分系列还包含EEPROM。其中FLASH通常用于存储代码或数据...
stm32G431单片机的Bootloader
03-13
<think>好的，我需要帮助用户了解STM32G431单片机的Bootloader的使用和实现。首先，根据用户提供的引用资料，特别是引用[2]、[3]、[4]，这些内容提到了使用STM32CubeMX创建Bootloader、串口IAP功能以及项目纪实。用户可能想知道具体步骤、原理和实际应用。 首先，我应该解释Bootloader的基本概念，这是用户可能需要的背景知识。根据引用[1]，Bootloader是初始化硬件和加载操作系统的程序，所以需要说明其在单片机中的作用，比如固件更新。 接下来，实现原理部分，需要结合引用[3]，提到Bootloader的原理是将程序下载到Flash，接收数据后跳转。这里需要详细说明内存分区，包括Bootloader区域和APP区域，以及中断向量表的偏移。这部分可能需要涉及技术细节，如地址分配和中断处理。 然后是具体实现步骤，引用[2]和[4]都提到了使用STM32CubeMX创建工程，所以需要分步骤说明如何配置时钟、串口、Flash等模块。特别是时钟配置和串口通信的设置，因为这是IAP的关键。同时，代码部分需要提到接收数据、写入Flash和跳转函数，可能还需要示例代码片段。 另外，引用[3]提到上位机的开发，比如用LabVIEW，但用户可能更关注单片机端的实现，所以这部分可以简要提及，或者作为相关扩展问题。 注意事项方面，需要强调地址对齐、中断向量表偏移和电源稳定性，这些是实际应用中容易出错的地方。引用[3]中的项目纪实可能提到这些常见问题，所以需要总结出来。 最后，生成相关问题，根据用户可能的后续疑问，比如优化方法、不同通信方式、调试技巧等，结合引用中的内容，提出相关问题。 需要确保回答结构清晰，分点说明，并且正确引用来源。同时，注意使用中文，数学公式和代码块按照要求格式化，但在这个问题中可能涉及较少数学内容，更多是代码示例。要检查LaTeX语法是否正确，但可能这里用到的机会不多。最后，确保回答真实可靠，基于提供的引用资料，不添加未提及的信息。</think>### STM32G431单片机Bootloader使用与实现指南 #### 一、Bootloader基础概念 Bootloader是存储在单片机Flash起始地址的小程序，负责接收新固件、写入指定地址并跳转执行[^1]。其核心功能包括： 1. 初始化硬件（如串口、时钟） 2. 通过通信接口接收数据包 3. 将数据写入Flash指定区域 4. 验证数据完整性 5. 跳转到应用程序执行 #### 二、实现原理 1. **内存分区**（以512KB Flash为例）： ``` $$ \begin{array}{|c|c|} \hline \text{0x0800 0000 - 0x0800 7FFF} & \text{Bootloader区域（32KB）} \\ \hline \text{0x0800 8000 - 0x0807 FFFF} & \text{APP应用程序区域（480KB）} \\ \hline \end{array} $$ ``` 2. **中断向量表偏移**：需在APP程序中设置`SCB->VTOR`寄存器，例如： ```c SCB->VTOR = FLASH_BASE | 0x8000; // 偏移32KB ``` #### 三、具体实现步骤（基于STM32CubeMX） **步骤1：创建Bootloader工程** 1. 在CubeMX中选择STM32G431型号 2. 配置系统时钟至170MHz（最大主频）[^4] 3. 启用USART1（波特率建议115200） 4. 配置Flash分页（Page size=2KB） 5. 生成MDK-ARM工程 **步骤2：关键代码实现** ```c // Flash写入函数 HAL_FLASH_Unlock(); FLASH_EraseInitTypeDef erase; erase.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES; erase.Page = 0x80; // 起始页 erase.NbPages = 240; // 总页数 uint32_t error; HAL_FLASHEx_Erase(&erase, &error); // 数据写入（示例） for(int i=0; i<data_len; i+=8) { HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD, APP_ADDRESS + i, *(uint64_t*)(data+i)); } HAL_FLASH_Lock(); // 跳转函数 void JumpToApp(void) { typedef void (*pFunction)(void); pFunction AppStart = (pFunction)(*(__IO uint32_t*)(APP_ADDRESS + 4)); __set_MSP(*(__IO uint32_t*)APP_ADDRESS); AppStart(); } ``` **步骤3：生成APP工程** 1. 修改链接脚本（.ld文件）： ```c MEMORY { FLASH (rx) : ORIGIN = 0x08008000, LENGTH = 480K RAM (xrw) : ORIGIN = 0x20000000, LENGTH = 128K } ``` 2. 在main函数初始化时设置中断向量表： ```c SCB->VTOR = FLASH_BASE | 0x8000; ``` #### 四、上位机开发要点 1. 数据分包格式建议： ``` [0xAA][数据长度(2B)][数据包序号(2B)][数据(nB)][CRC32(4B)] ``` 2. 使用YModem协议或自定义简单协议 3. 支持断点续传（记录最后成功包号） #### 五、注意事项 1. Flash写入前必须擦除，擦除操作以页为单位[^2] 2. 跳转前关闭所有中断 3. Bootloader与APP的时钟配置需一致 4. 保留2KB空间用于存储升级标志位 5. 使用硬件看门狗防止死机
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