YTM32的Flash控制器EFM模块详解

YTM32的Flash控制器EFM模块详解

Flash存储器控制器EFM模块概述

Flash（闪存）是一种可擦除的只读存储器，按照实现方式和运行特性Flash一般还会分为NOR和NAND两种。其中NOR Flash支持随机地址的读取方式，在读取操作上类似于RAM，比较适合程序的直接读取运行，而NAND Flash读取是基于页的方式，一般无法随机读取。在微控制器中，Flash需要存储程序和数据，所以大多使用NOR Flash。

YTM32的Flash存储器特性

YTM32系列MCU中通过Flash控制器EFM（Embedded Flash Module）控制管理Flash存储器，这里以ME0x系列MCU为例，EFM模块支持如下的一些功能：

• 512KB x 2 的程序存储区域PFlash，带有ECC功能，Sector大小为2K
• 256KB 单独的数据存储块DFlash，带有ECC功能，Sector大小为1K
• 4KB的NVR区域，带有ECC功能，Sector大小为1K
• 支持Flash按区域（16KB单位）的写保护功能。YTM32的M系列设计写保护固定为32x2个区域，总Flash
• 支持配置禁用调试器
• 支持产生Flash命令执行结束和异常中断
• 支持Block Swap的OTA升级功能
• 支持ECC错误地址记录和单比特、多比特中断
• 支持OTP（One Time Program，一次可编程）区域
• 支持HCU 密钥存储（可擦写，不可读取）
• 支持块擦除、扇区（Sector）擦除和整个Chip的擦除操作
• 最小写入页大小为 8 Bytes

Flash的约定术语

这里梳理使用Flash过程中常用的一些约定术语：

• PFlash，程序Flash，实际也可以保存数据，属于基于应用场景的一种约定名称。
• DFlash，数据Flash，实际也可以运行程序，属于基于应用场景的一种约定名称。
• Block，Flash块的存储映射空间，表示物理上的一个Flash块（PFlash0、PFlash1、DFlash等），不同物理块的Flash相互之间可以支持Read While Write(RWW)特性。
• Sector，扇区，是Flash擦除的最小单位，属于Flash的物理特性，软件无法修改。
• Page，Flash 编程的最小单位，同样属于Flash物理特性，软件无法修改。
• RWW，Read While Write，在运行擦除或者编程Flash的操作时，同时支持读Flash的操作。
• ECC校验，纠错算法的一种，可以纠正单比特错误，检测多比特错误。

存储器的地址空间及定义

以ME0x微控制器为例，芯片系统存储的映射地址空间，如表x所示。

表x YTM32微控制器片内存储映射空间

Flash Device Name	Address Space	Size(KB)	Block	Protect
PFlash0	0x0000_0000 - 0x0007_FFFF	512 KB	0	ADDR_PROT0
PFlash1	0x0008_0000 - 0x000F_FFFF	512 KB	1	ADDR_PROT1
DFlash	0x0010_0000 - 0x0013_FFFF	256 KB	2	ADDR_PROT2
AES_NVR / HCU_NVR	0x1000_0000 - 0x1000_03FF	1 KB	0	No Read + Customer Key
OTP_NVR	0x1001_0000 - 0x1001_03FF	1 KB	0	No Erase
BOOT_NVR	0x1002_0000 - 0x1002_03FF	1 KB	1	SWAP CMD only