YTM32的flash应用答疑-详解写保护功能

YTM32的flash应用答疑-详解写保护功能

Introduction

客户提出了一种应用场景：在使用某些授权软件（算法）的场景中，软件（算法）供应商向MCU的一些预留的存储区中写入专用的授权凭证，该凭证一机一码，各不相同，从而确保软件（算法）不会被非法复制。但对于MCU的应用开发者来说，经常需要刷写片内存储空间，更新程序或者数据，此时希望小心保存位于MCU内部存储器上的凭证，在开发和后期正常使用的过程中，不要被意外擦除，否则重新授权需要又需要额外的费用、时间和流程等。

绝大多数MCU的片内flash存储器管理模块都提供了写保护功能，当对已经设置保护功能的存储区进行擦写操作时，擦写的实际效果将失效，被保护存储区中的数据得以幸免留存，已达到防止误擦除的效果。

Principle

以YTM32B1MD14微控制器为例，其中片内flash控制器模块EFM，对应有EFM_ADDR_PROT[0]和EFM_ADDR_PROT[1]寄存器，其中每个比特可以保护8KB的存储区，按序分布，覆盖全部的片内flash的地址区域。

EFM_ADDR_PROT寄存器位的值为0时，写保护发生作用，对应位的值为1时，写保护不起作用，可以正常擦写。

有两种方式可以配置EFM_ADDR_PROT寄存器的值：

• 向CUS_NVR中0x10和0x18地址写数，这里的配置值将作为EFM_ADDR_PROT寄存器的初值，在硬件复位后自动生效（由boot rom复制到EFM_ADDR_PROT寄存器中）。但写入每个寄存器初值时要注意，高32位数必须为0x5A5A5A5A ，然后才是32位的有效配置值。