使用mos管搭建的H桥电路在使用过程中需要注意哪些问题

使用 MOS 管搭建的 H 桥电路（常用于直流电机驱动、逆变器等场景）在设计和使用中需注意多方面问题，以确保电路稳定、安全运行。以下是需要重点关注的要点：

一、MOS 管选型与参数匹配

1. 耐压与电流能力

   • 确保 MOS 管的额定漏源电压（VDS）大于电路中可能出现的最大电压（包括电源电压、感性负载的反电动势等），建议预留 20%-50% 的余量。
   • 额定漏极电流（ID）需大于负载最大电流，同时考虑散热条件下的降额使用（如实际电流不超过额定值的 70%）。
   • 关注脉冲电流参数（IDM），避免瞬间峰值电流损坏管子。

2. 导通电阻（RDS (on)）

   • 低导通电阻可减少导通损耗，尤其在大电流场景下，需结合负载电流计算功耗（P = I²×RDS (on)），确保散热可承受。

3. 栅极阈值电压（VGS (th)）

   • 栅极驱动电压需高于阈值电压（通常 5-10V），但不能超过栅源耐压（VGS (max)，一般 ±20V），避免栅极击穿。

二、驱动电路设计

1. 栅极驱动电压与电流

   • 驱动电压需稳定（如 12V），确保 MOS 管充分导通（降低 R