36、MOS跨导线性电路的分析与综合

MOS跨导线性电路的分析与综合

1. 引言

MOS跨导线性电路（MOS Translinear Circuits）是一种在模拟集成电路设计中广泛应用的电路形式。这类电路利用了MOS晶体管在饱和区工作时的特性，能够实现高度线性的电流-电压转换。本文将深入探讨MOS跨导线性电路的分析与综合方法，帮助读者理解其工作原理、设计技巧以及实际应用。

2. MOS跨导线性电路的基本原理

MOS跨导线性电路的核心在于MOS晶体管的跨导特性。跨导（gm）是指晶体管栅极电压变化引起的漏极电流变化率。在饱和区，MOS晶体管的跨导特性非常接近线性，这使得MOS跨导线性电路能够在较宽的范围内保持良好的线性度。

2.1 MOS晶体管的跨导特性

MOS晶体管的跨导特性可以用以下公式表示：

[ g_m = \frac{\partial I_D}{\partial V_{GS}} ]

其中，( I_D )是漏极电流，( V_{GS} )是栅源电压。在饱和区，MOS晶体管的跨导特性可以近似为：

[ g_m = \sqrt{2 \mu_n C_{ox} \frac{W}{L} (V_{GS} - V_{th})} ]

其中，( \mu_n )是电子迁移率，( C_{ox} )是氧化层电容，( W )和( L )分别是晶体管的宽度和长度，( V