24、晶体管与运算放大器知识详解

晶体管与运算放大器知识详解

1. 晶体管相关内容

1.1 MOSFET特性问题

• 对于IRF840 MOSFET，当电源电压使FET处于线性区域时，它可看作电阻，需要求解其电阻值。
• 还需完成以下任务：
  • 找出该MOSFET的阈值电压。
  • 若有100 - V电源，确定在$V_{GS} = 6 V$时，MOSFET可作为开关使用的负载范围。
  • 估算$V_{GS} = 6 V$时的导通电阻。

1.2 实验项目

1.2.1 BJT晶体管实验

• 晶体管曲线实验
  • 所需设备 ：曲线跟踪仪。
  • 所需组件 ：2N3904 npn晶体管。
  • 操作步骤 ：
    1. 使用曲线跟踪仪获取2N3904 npn晶体管的特性曲线。
    2. 从晶体管曲线中获取近似的β值。
    3. 在晶体管曲线上绘制对应$V_{CC} = + 12 V$和$R_{C} = 1200 \Omega$的负载线。
    4. 当$I_{B} = 30 \mu A$时，计算$V_{CE}$和$I_{C}$的值，并搭建图9.38所示电路进行验证。