BZOJ3884 上帝与集合的正确用法 欧拉函数

本文通过一个寓言故事介绍了集合的增长速度及如何通过递归和快速幂等算法解决取模运算问题。详细探讨了从α到θ的创造过程中元素数量的变化规律,并提供了具体的C++实现代码。

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上帝与集合的正确用法

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Description

根据一些书上的记载,上帝的一次失败的创世经历是这样的:

第一天, 上帝创造了一个世界的基本元素,称做“元”。

第二天, 上帝创造了一个新的元素,称作“α”。“α”被定义为“元”构成的集合。容易发现,一共有两种不同的“α”。

第三天, 上帝又创造了一个新的元素,称作“β”。“β”被定义为“α”构成的集合。容易发现,一共有四种不同的“β”。

第四天, 上帝创造了新的元素“γ”,“γ”被定义为“β”的集合。显然,一共会有16种不同的“γ”。

如果按照这样下去,上帝创造的第四种元素将会有65536种,第五种元素将会有2^65536种。这将会是一个天文数字。

然而,上帝并没有预料到元素种类数的增长是如此的迅速。他想要让世界的元素丰富起来,因此,日复一日,年复一年,他重复地创造着新的元素……

然而不久,当上帝创造出最后一种元素“θ”时,他发现这世界的元素实在是太多了,以致于世界的容量不足,无法承受。因此在这一天,上帝毁灭了世界。

至今,上帝仍记得那次失败的创世经历,现在他想问问你,他最后一次创造的元素“θ”一共有多少种?

上帝觉得这个数字可能过于巨大而无法表示出来,因此你只需要回答这个数对p取模后的值即可。

你可以认为上帝从“α”到“θ”一共创造了10^9次元素,或10^18次,或者干脆∞次。

一句话题意:

 

 

Input

接下来T行,每行一个正整数p,代表你需要取模的值

 

Output

T行,每行一个正整数,为答案对p取模后的值

 

Sample Input

3
2
3
6

Sample Output

0
1
4

HINT

 

对于100%的数据,T<=1000,p<=10^7

思路来自大佬博客https://blog.youkuaiyun.com/skywalkert/article/details/43955611

还有感谢大佬相关梳理https://blog.youkuaiyun.com/ez_yww/article/details/76176970

主要是理解递归,其中快速幂和求欧拉函数都是板子

#include<iostream>
#include<cstdio>
using namespace std;
long long eular(long long n) {     
    long long ans = n;     
    for(int i = 2;i*i <= n;i++) {         
        if(n % i == 0) {             
            ans -= ans/i;             
            while(n % i == 0)                 
                n /= i;         
        }     
    }     
    if(n > 1)
        ans -= ans/n; 
    return ans; 
} 
long long pow(long long a,long long b,long long c){
    long long ans=1;
    while(b){
       if(b&1){
        ans=ans*a%c;
       }
       b=b/2;
       a=a*a%c;
    }
    return ans;
}
long long F(int n){
    if(n==1)
        return 0;
    return pow(2,F(eular(n))+eular(n),n)%n;
}
int main()
{
    int num;
    scanf("%d",&num);
    while(num--)
    {
        long long p;
        scanf("%lld",&p);
        printf("%lld\n",F(p));
    }
}

 

资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
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