双端口RAM与多模块 解决RAM速度过慢

本文探讨了如何提高主存速度,主要涉及了存取周期、DRAM的充电恢复时间以及针对多核CPU的解决方案。双端口RAM允许两个独立的CPU同时访问内存,而多体并行存储器通过将地址分成不同体号来实现连续访问优化。此外,双通道内存利用低位交叉编址提高数据传输速率,为系统提供单纯的容量扩展或性能提升。

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  • 提高主存的速度

  • 存取周期

    • DRAM的读取之后,由于电容的缘由,所以需要充电恢复
    • image-20220203131200998
    • 充电时间甚至可以达到3r,也就是3倍存取时间
    • 多核cpu? 双端口RAM
  • 双端口RAM

    • image-20220203131751450
    • 适合多个cpu
  • 多体并行存储器

    • 可以理解为4根内存条
    • 也就是将地址的几位拿出来,作为不同内存条的体号,也就是不同存储芯片的总的地址不一样
    • 体内地址放在地位很适合连续访问的场景
    • image-20220203172519399
    • 体内地址放高位:nTnTnT 高位适合单纯的扩容
    • 体内地址放低位:T+(n−1)rT+(n-1)rT+(n1)r
    • image-20220203133550347
    • 模块的数量:见上
    • 还有一种单体多字存储器。。。这个有点类似于位扩展,就不太好,灵活性差一些
  • 双通道内存

    • 低位交叉编址:双通道
    • 高位交叉:单纯扩容
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