双端口RAM与多模块 解决RAM速度过慢

最新推荐文章于 2024-06-12 18:18:49 发布
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分类专栏： 计算机组成原理 文章标签： 计算机组成原理
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本文链接：https://blog.youkuaiyun.com/qq_34687559/article/details/122777219
本文探讨了如何提高主存速度，主要涉及了存取周期、DRAM的充电恢复时间以及针对多核CPU的解决方案。双端口RAM允许两个独立的CPU同时访问内存，而多体并行存储器通过将地址分成不同体号来实现连续访问优化。此外，双通道内存利用低位交叉编址提高数据传输速率，为系统提供单纯的容量扩展或性能提升。

摘要生成于 C知道 ，由 DeepSeek-R1 满血版支持， 前往体验 >

  • 提高主存的速度

  • 存取周期

    • DRAM的读取之后，由于电容的缘由，所以需要充电恢复
    • image-20220203131200998
    • 充电时间甚至可以达到3r，也就是3倍存取时间
    • 多核cpu？ 双端口RAM

  • 双端口RAM

    • image-20220203131751450
    • 适合多个cpu

  • 多体并行存储器

    • 可以理解为4根内存条
    • 也就是将地址的几位拿出来，作为不同内存条的体号，也就是不同存储芯片的总的地址不一样
    • 体内地址放在地位很适合连续访问的场景
    • image-20220203172519399
    • 体内地址放高位：nTnTnT 高位适合单纯的扩容
    • 体内地址放低位：T+(n−1)rT+(n-1)rT+(n−1)r
    • image-20220203133550347
    • 模块的数量：见上
    • 还有一种单体多字存储器。。。这个有点类似于位扩展，就不太好，灵活性差一些

  • 双通道内存

    • 低位交叉编址：双通道
    • 高位交叉：单纯扩容
3.6双端口RAM和多模块存储器
人生得意须尽欢
01-31 3454
计算机组成原理之双端口RAM和多模块存储器
计算机组成原理——存储系统（下）（双口RAM&Cache的映射及替换算法&Cache写策略）
qq_51308373的博客
03-26 2797
文章目录一、双口RAM与多模块存储器1．存取周期2．双口RAM3．多体并行存储器4．应该取几个“体”?5．多模块存储器二、Cache的基本概念和原理1．存储系统存在的问题2．Cache的工作原理3．局部性原理4．性能分析5．有待解决的问题三、Cache和主存的映射方式1．全相联映射（随意放）2．直接映射（只能放固定位置）3．组相连映射四、Cache替换算法1．替换算法解决的问题2．随机算法（RAND，random）3．先进先出算法（FIFO，first in first out）4．近期最少使用（LRU，L
3.3双端口RAM & 多模块存储器（用于提升主存速度）
CV工程师呀
12-23 381
1.双端口RAM 2.多体并行存储器 2.1取多少个存储体合适？ 3.单体多字存储器
RAM和多模块存储器
959
08-26 525
存储系统 111 采用双端口存储器和多模块存储器目的是为了提高存储器的工作速度 而存储周期是衡量存储器的工作速度 存储周期 双端口RAM 采用的是双CPU 两个端口对同一主存操作的操作: 1.两个端口不同时对同一地址存取数据 2.两个端口对同一地址单元读出数据 3.两个端口对同一地址单元写入数据 4.两个端口对同一地址单元一个写入一个读出数据 第一个和第二个操作不会错误 第三个操作会造成写错误 第四个操作可能会造成读入错误 解决方法为加入一个控制信号:忙信号 如果发生冲突的话,启动忙信号然后决定先后的
计算机组成原理---双端口RAM和多模块存储器
Cv工程师的博客
07-28 4857
1.双端口RAM 所谓双端口RAM就是一个有两个独立端口的RAM，两边各有一个cpu连着，类似这种形状：▭|▭|▭ （中间的RAM通过数据线、地址线、读写控制线允许异步操控访问存储单元） 注：可能产生数据冲突或者错误的操作： 1.两个端口对同一地址单元写入数据（产生覆盖） 2.两个端口对同一地址单元进行写入数据与读入数据（读入错误） 2.多模块存储器 多模块存储器可以用来提高访存速度，也分为单体多字存储器和多体低位交叉存储器 1.单体多字存储...
存储系统 —— 提升主存速度（双端口RAM、多模块存储器）
一个很懒的人
09-18 1196
本文主要介绍两种提升主存速度的方法： 1.双端口RAM（优化多核CPU访问一根内存条的速度） 2.多模块存储器 多体并行存储器 低位交叉编址(重点) 高位交叉编址 单体多字存储器 3.实际应用： 将电脑改为“双通道”，实质是改为多体并行地位交叉存储器 1.双端口RAM（优化多核CPU访问一根内存条的速度） 存取周期 双端口RAM 2.多模块存储器 （1）多体并行存储器 两种策略： 低位交叉编址取存储芯片个数 （2）单体多字存储器 3.实际应用： 将电脑改为.
Linux创建线程读取双口数据,linux环境下读写一次双口ram尽然要十几个毫秒。（附驱动代码）...
weixin_35674742的博客
05-10 192
linux环境下读写一次双口ram尽然要十几个毫秒。(附驱动代码)我用的双口ram是IDT70V28，手册上说的读写时间应该是几个纳秒，我写了个linux驱动，然后做测试，发现读写一次的时间尽然是十几个到几十个毫秒！(通过点IO管脚，用示波器看)，而且不能在多个线程访问双口ram(访问不同的地址都不行！)。并且读写数据的时间基本和读写数据的长度没有太多关系，只是和读写次数关系非常明显。搞了两个星期...
【Quartus IP核RAM配置定制手册】：打造你的内存解决方案
![quartus ip ram]...本文详细探讨了在使用Quartus软件配置和应用RAM IP核的过程，涵盖了RAM的基础知识、工作原理、定制流程以及高级应用。首先介绍了RAM的核心概念、分类以及性能参
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（三）FPGA IP核使用教程——双端口RAM
ChinaRyan666（蔡杰涛）的博客
09-19 1684
高质量专栏！讲透双端口RAM！超级详细的教程！
FPGA | RAM IP端口输出延迟问题解决
Always learn from the best.
10-11 4013
Vivado中调用RAM IP，端口输出有延迟
IC设计基础002：RAM的读延时与读数据锁存
IC小鸽的博客
07-14 6429
1、什么是RAM的读延时？ RAM读延时指的是读使能ren有效后获得有效读数据rdata所需的rclk周期数。RAM读延时通常有1拍延时、2拍延时以及3拍延时。 图中所示为ren为RAM读使能，寄存器驱动，rdata为RAM读出的数据。 图1下图所示为读延时为1拍的RAM时序图，此图是没有延时信息的RTL仿真时序图，在读使能信号ren有效后下一个时钟触发沿rdata数据有效。图2所示为带延时...
使用ram给信号做延时操作
weixin_42106811的博客
11-28 648
对已有信号进行延迟操作，通过地址差，使用ram来进行延迟，设置ram的深度为16384
赛灵思官方ram仿真
weixin_44254744的博客
06-12 558
3、实际情况是这样的：类似于一个输出8bit数据的ram，你需要给它使能信号与地址它才会返回数据。并且，该ram也并不是一个非常大的ram，而是需要满足一定的时序条件。赛灵思官方ram示例中用的是vhdl语言，相比与Verilog和Sv来说实在是过于繁琐，不过好处在于ram时许并不复杂，只要能仿出来就能看出咋回事。2、写task，或function，该方式适用于仿真，但没法作用于实际工程。对于读取ram而言，给定的文件一般都是8bit十六进制数。1、最暴力的，我直接修改你的文件格式即可。
双口ram读写
xxgyh
06-27 8576
项目名称 双口ram读写 具体要求 将0-1023存入ram并读出,a端口写入数据，b端口读出数据，两个端口的时钟频率设置相同，仿真时以50m写入12.5m读取 单端口时读和写不能同时进行，双端口ram多了一个读地址，可以同时读写 设计架构 代码设计 verilog代码设计 ram ipcore创建，位宽10，深度1024 顶层模块设计 module dram_top( input a_clk, input b_clk, ...
两个双口ram之间数据的传递
outlier的博客
03-20 3741
1.如果两个双口ram数据位宽相同，则采用时钟快的ram等待时钟慢的ram来完成从一个ram中读取数据并存储到另一个ram中；例如从ram A中读取数据到ramＢ中，ｒａｍ　Ａ的时钟为２０Ｍ，而ram B的时钟为40M，可以重复读ram A来覆盖写ram B的方法，如果把ramB中的数据读取出写到ram A中，ram B需要等待ram A一个时钟后再改变地址。 2.如果两个双口ram数据位宽不同
在芯片设计中，是如何实现通过JTAG接口向芯片内部的RAM中下载程序的
最新发布
07-19
**性能优化**：由于JTAG接口速度较慢，对于大容量RAM下载会耗时较长。因此，一些设计会采用更宽的扫描链（如32位或64位）来一次传输多个数据位，或者使用JTAG的高速模式（如使用JTAG的时钟分频器提高TCK频率）。 ...
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