ltqdxl的博客

在介绍，在进行MOSFET相关的电路设计时，可能会遇到MOSFET误导通的问题，为了解决此问题，我们提出了两种方法，一种是增大MOSFET栅极串联电阻的阻值，另外一种是在MOSFET栅-源极之间并联一个电容，有读者在评论区说如果在栅-源极并联一个电容，MOSFET可能会出现炸管的问题？那么在MOSFET栅-源极并联电容和MOSFET炸管是否真的有联系？内在的机制又是什么？如何解决？今天我们就详细分析一下。

根据I=Q/t，获得了具体MOS管Qg数据，和我们线路的电流能力，就可以获得Ton= Qg/I。比如45N50，它在Vgs=10V，VDS=400V，Id=48A的时候，Qg=105nC。开始给MOS管Cgs充电，当电压升到5V时，Id流过一定的电流。继续充电，Id越来越大，但还没完全导通。一般来说，耐压等级越高，MOS管的输入电容越大，反向传输电容Crss越小，米勒效应也相应减小。R，此时管子消耗的功率最大，发热最严重，所以尽可能让平台电压工作的时间很短。此时，MOS管的电流最大，电阻最大，根据P=I。

如果单独输入是0V或12V，那么该电路看似没有毛病，但是输入信号是变化的，电压信号高低电平的跳变有过渡的过程，所以在某个中间电压时会出现两个管子同时导通的情况，这是要炸管的，切记！❤如图13为图腾柱仿真波形，输出与输入相位相反，黄色表示Ui输入波形，蓝色表示Uo输出波形，实现了小电压驱动大电压的推挽输出。❤然而，我们常用的运放也是推挽输出，运放的一个特性就是输入阻抗很大，输出阻抗很小，输出如图16红框所示，输出阻抗不到200Ω。❤如图3由NPN+PNP三极管组成的推挽电路，这就是我们常用的互补推挽电路。..

POWER_EN为高电平时，Q2导通，使得Q1sg两端有压差，达到Q1的导通电压，此时Vin输出到Vout，这个Vin可以是12V。这样就达到了控制12V通断的要求，当然这个Q1的选型需要参考这个12V的供电电流来选型，如果电流大，需要选择Is大的MOS管。POWER_EN为低电平时，Q2截止，使得Q1sg两端没有压差，Q1截止，此时Vout没有电压。另外，也可以选择用继电器来控制12V的电压通断。...

在国外看到一个电路，也是写主副电源自动切换的电路，设计的非常巧妙。上面电路设计也挺不错的，如果VCC端需要的电压不一定要求等于VUSB，那么这个电路是可以的，那么问题来了，如果主副输入电压相等，同时要求输出也是同样的电压，不能有太大的压降，怎么设计？上面的电路肯定不能满足了，因为D1的压降最小也是0.3V，我们看下面的电路。这个电路咋一看复杂很多，其实很简单，巧妙的利用了MOS管导通的时候低Rds的特性，相比二极管的方式，在成本控制较低的情况下，极大的提高了效率。本电路实现了，当Vin1 = 3.3V

详细文档可以参考：《MOS管从入门到精通》

题注：本文介绍的di/dt、dV/dt分开单独控制方法，不仅适用于负载开关，还广泛用于电机控制功率MOSFET或IGBT驱动电路：（1）调整驱动电路电阻RG，调整dV/dt（2）调整并联电容CGS，调整di/dt1、功率MOSFET的开关过程功率MOSFET的开通过程中可以分为4个阶段，关断过程的基本原理和开通过程相类似，以前的文章对其进行过非常详细的叙述，N沟道功率MOSFET放在低端直接驱动的波形如图1所示。图1：功率MOSFET的开通过程阶段3（t2-t3）为米勒平台，VGS电压保持米勒

通过双脉冲测试评估反向恢复特性本文我们将根据使用了几种MOSFET的双脉冲测试结果，来探讨MOSFET的反向恢复特性。该评估中的试验电路将使用上一篇文章中给出的基本电路图。另外，相应的确认工作也基于上次内容，因此请结合上一篇文章的内容来阅读本文。通过双脉冲测试评估MOSFET反向恢复特性为了评估MOSFET的反向恢复特性，我们使用4种MOSFET实施了双脉冲测试。4种MOSFET均为超级结MOSFET（以下简称“SJ MOSFET”），我们使用快速恢复型和普通型分别进行了比较。先来看具有快速恢复特性

MOS管电流方向能反着流吗？体二极管能过多大电流？两个问题：1、MOS管导通电流能否反着流？D到S，S到D方向随意？2、MOS管体二极管能过多大的电流？为啥会有这两个问题？我们在最开始学习MOS管的时候，应该都是从NMOS开始的，电流的方向都是从D到S的。而实际应用电路，NMOS会有电流从S到D的情况，比如下面这个NMOS管防电源反接电路（仅仅是个示意图，实际电路需要多考虑一些因素）。原理我还是先大致说下。1、在电源正常接入的时候电源正极VCC经过后级负载电路接到体二极管，那么体二

总结本文将对该系列内容进行总结。在“通过双脉冲测试评估MOSFET的反向恢复特性”中，重点关注了由于逆变器电路、Totem Pole型功率因数校正（PFC）电路等是两个MOSFET串联连接的桥式电路，因此存在因上下桥臂的直通电流导致导通损耗增加的现象。该现象受开关MOSFET和相对臂MOSFET的体二极管（寄生二极管）的反向恢复特性影响很大，因此给出了使用双脉冲测试评估MOSFET体二极管的反向恢复特性的结果。在双脉冲测试中，从两个角度比较并评估了导通损耗。一个是标准SJ MOSFET与Presto

误启动的发生机制上一篇文章中通过标准型且具有快恢复特性的SJ MOSFET的双脉冲测试，介绍了“在桥式电路中，恢复特性可通过使用高速MOSFET来降低损耗，但是在某些情况下，即使使用高速MOSFET也无法降低导通损耗”。本文就其中一个原因即误启动现象进行说明。什么是误启动现象误启动是因MOSFET的各栅极电容（CGD,CGS）和RG引起的现象，在串联2个MOSFET的桥式电路中，当位于开关侧的MOSFET导通（Turn-on）时，在原本为OFF状态的续流侧MOSFET发生了不应发生的导通，导致直通电流

什么是双脉冲测试？在“通过双脉冲测试评估MOSFET的反向恢复特性”中，我们将通过双脉冲测试来评估MOSFET体二极管的反向恢复特性，并确认MOSFET损耗情况。MOSFET体二极管的反向恢复特性与桥式电路损耗的关系在逆变器电路和Totem Pole型功率因数改善（PFC）电路等具有2个以上MOSFET的桥式电路中，由于流过上下桥臂的电流会使导通损耗增加。该现象受开关MOSFET和对应桥臂MOSFET的体二极管（寄生二极管）的反向恢复特性影响很大。因此，在桥式电路中，体二极管反向恢复特性优异的MOSF

MOSFET的失效机理本文的关键要点・ 当向MOSFET施加高于绝对最大额定值BVDSS的电压时，会造成击穿并引发雪崩击穿。・ 发生雪崩击穿时，会流过大电流，存在MOSFET失效的危险。・ MOSFET雪崩失效包括短路造成的失效和热量造成的失效。什么是雪崩击穿当向MOSFET施加高于绝对最大额定值BVDSS的电压时，就会发生击穿。当施加高于BVDSS的高电场时，自由电子被加速并带有很大的能量。这会导致碰撞电离，从而产生电子-空穴对。这种电子-空穴对呈雪崩式增加的现象称为“雪崩击穿”。在这种雪崩击

MOSFET的失效机理本文的关键要点・dV/dt失效是MOSFET关断时流经寄生电容Cds的充电电流流过基极电阻RB，使寄生双极晶体管导通而引起短路从而造成失效的现象。・dV/dt是单位时间内的电压变化量，VDS的上升坡度越陡，越容易发生MOSFET的dV/dt失效问题。・一般来说，反向恢复特性越差，dV/dt的坡度越陡，越容易产生MOSFET的dV/dt失效。什么是dV/dt失效如下图（2）所示，dV/dt失效是由于MOSFET关断时流经寄生电容Cds的瞬态充电电流流过基极电阻RB，导致寄生双

MOS需要工作在开关状态，希望尽可能快地关闭，尽可能快地打开。因为在打开或关闭的过程中，MOS管上会有功耗。虽然MOS是电压驱动，但栅源之间有较大的结电容。在打开时，需要大的充电电流，截止时需要大的放电电流。因此需要有低阻抗的充电和放电通路。方框中的电路构成一个低边MOS管驱动器，输入端由Q3及外围使用共基极接构成电平转换电路，从⑤处接受控制输入，控制输入可以由MCU产生。将输入的3V数字量转换成输出12V数字量。由Q1 Q2属于互补的射极输出器，不存在Q1 Q2同时导通短路电源的问题。为防止意外，在输出

第一种：雪崩破坏如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压，而且达到击穿电压V(BR)DSS （根据击穿电流其值不同），并超出一定的能量后就发生破坏的现象。在介质负载的开关运行断开时产生的回扫电压，或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率MOSFET的漏极额定耐压并进入击穿区而导致破坏的模式会引起雪崩破坏。典型电路：第二种：器件发热损坏由超出安全区域引起发热而导致的。发热的原因分为直流功率和瞬态功率两种。直流功率原因：外加直流功率而导致的损耗引起的发热●导通电阻RDS(on)损耗（高温

在电路设计上，我们见到最多的是使用MOS管最为开关控制器件，但是MOS管除了具有开关的功能之外，还有隔离作用，下面就和大家一起看一下吧。如何实现隔离作用呢？MOS管的隔离作用，其实质也就是实现电路的单向导通，它就相当于一个二级管。但在电路中我们常用隔离MOS，是因为：使用二级管，导通时会有压降，会损失一些电压。而使用MOS管做隔离，在正向导通时，在控制极加合适的电压，可以让MOS管饱和导通，这样通过电流时几乎不产生压降。大家都知道当给笔记本电脑供电时有三种情况：只用适配器供电只用电池供电

1 、三极管和MOS管的基本特性三极管是电流控制电流器件，用基极电流的变化控制集电极电流的变化。有NPN型三极管和PNP型三极管两种，符号如下：MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化。有P沟道MOS管（简称PMOS）和N沟道MOS管（简称NMOS），符号如下（此处只讨论常用的增强型MOS管）：2、 三极管和MOS管的正确应用（1）NPN型三极管，适合射极接GND集电极接负载到VCC的情况。只要基极电压高于射极电压（此处为GND）0.7V，即发射结正偏（VBE为正），NPN

1.最大额定参数最大额定参数，所有数值取得条件(Ta=25℃)VDSS 最大漏-源电压在栅源短接，漏-源额定电压(VDSS)是指漏-源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压。根据温度的不同，实际雪崩击穿电压可能低于额定VDSS。关于V(BR)DSS的详细描述请参见静电学特性。VGS 最大栅源电压VGS额定电压是栅源两极间可以施加的最大电压。设定该额定电压的主要目的是防止电压过高导致的栅氧化层损伤。实际栅氧化层可承受的电压远高于额定电压，但是会随制造工艺的不同而改变，因此保持VGS在额定电压以内可以保

1 MOS实现电平转换0 前言在电路开发的过程中，经常遇到两个系统电平不一致的情况，这时候如果两个系统需要通信，就需要进行电平转换也就是level shifting，如果通信线比较多或者有其他特殊需求，可以选用集成的level shifting芯片进行设计，电路设计复杂度低，但是成本比较高。如果只有一两路信号，我们可以选用mos进行电平转换，造价比较低。1 芯片选型及原理图下面以1.8V和...