ltqdxl的博客

t2→t3：Vgs增大到一定程度后，出现米勒效应，Id已经达到饱和，此时Vgs会持续一段时间不再增加，而Vds继续下降，给Cgd充电，也正是因为需要给Cgd充电，所以Cgs两端电压变化就比较小（MOS管开通时，Vd>Vg，Cdg先通过MOS管放电，而后再反向充电，夺取了给Cgs的充电电流，造成了Vgs的平台）；t3→t4：Vgs继续上升，此时进入可变电阻区，DS导通，Vds降来下来（米勒平台由于限制了Vgs的增加，也就限制了导通电阻的降低，进而限制了Vds的降低，使得MOS管不能很快进入开关状态）。

这个电路要求，DC_IN和VBUS_IN都可以单独供电，若DC_IN和VBUS_IN同时供电，则DC_IN输出到负载，若VBUS_IN先供电，1ms后切换到DC_IN。1、当VBUS_IN先供电，DC_IN供电时，会存在DC_IN和VBUS_IN都导通的状态。1.将DC_IN和VBUS_IN互换，同时控制引脚R226的上端也要改下控制电压。2.Q1换成NMOS，Q4换成PMOS，改变DC_IN的供电电路部分。该电路指的肯定的是，提供了一种双电源供电的思路。

背景该电路作者只是交代了开关机如何实现的，对于为什么负载电流越小，关机时间就需要更久没有解释，欢迎广大电子爱好者解释一下，共同交流如下部分，欢迎多多交流：负载电流大于10uA时，K2只要按一下就可以关机；当负载电流小于5uA时，K2需要长按3-5s才能关机（负载电流小，按的时间越长），希望清楚的朋友留言区交换意见。可以看到，上面这个电路中用到两颗开关管，其中一颗是MOS管，另外一颗还是MOS管。型号分别为PMZB200UNE(Q2)，CJBB3139K(Q1)。PMZB200UNE(Q2)用来辅助控.

OC门和OD门概念OC门和OD门OC：集电极开路（Open Collector）OD：漏极输出（Open Drain）OC门和OD门是相对于两个器件而言的，OC门是对三极管而言，OD门是对场效应管而言。OC门电路如下所示，Input信号连接至芯片，当Vinput为高电平时，Q1导通，则Q2的基极电压为0，Q2截止，Voutput为VCC2；当Vinput为低电平时，Q1截止，Q2的基级电压为VCC1，Q2导通，Voutput为0。OD门电路如下所示，其分析思路和OC门电路相同。文章来源于网

什么是TTL电平，什么是CMOS电平，他们的区别 (一)TTL高电平3.6~5V，低电平0V~2.4V CMOS电平Vcc可达到12V CMOS电路输出高电平约为0.9Vcc，而输出低电平约为 0.1Vcc。 CMOS电路不使用的输入端不能悬空，会造成逻辑混乱。 TTL电路不使用的输入端悬空为高电平 另外，CMOS集成电路电源电压可以...