MOS管好坏的判别方法

PMOS:


NMOS:


对于NMOS管:

        先把MOS管的G极和S极短接(用镊子夹一下就行了),然后测量D极和S极的电阻。测试时电流从S极流到D极,即红笔接S极,黑笔接D极,这个时候测出来的电阻和正常MOS管测出来的做对比,如果差太大,那肯定就是烧了。如果表笔接反了,正常的MOS管测出来的电阻是断路。(二极管存在的缘故)

        如果MOS管过压,一般会造成三端短路,功率电压进入G极,烧掉前面的栅极驱动芯片。

        如果MOS管过流,则一般烧断路。


对于PMOS管,则相反,依据二极管的方向。

### 如何检测MOS管的好坏 #### 使用万用表检测MOS管 可以通过万用表的二管档位来测试MOS管内部的寄生二管(体二管),以此判断其是否正常工作。具体操作如下: - **测量源(S)与漏(D)** 将万用表调至二管档,分别测量S-D之间的正反向电压。对于正常的MOS管,正向压降应在0.3V~0.7V之间[^4]。如果测得的数值超出此范围或者显示无穷大,则说明MOS管可能存在故障。 - **测量栅(G)与其他两** 栅相当于一个小型电容器,因此可以用指针式万用表对其进行充电放电实验。将红表笔连接到S/D任意一端,黑表笔短暂接触G后再移开,此时观察指针是否会回摆。如果没有反应或变化异常,则表明器件存在问题[^3]。 #### 利用电阻法初步筛查 除了利用专用仪器外,还可以采用简单的电阻测量方式来进行粗略评估: - 当关闭状态下(NMOS),从G到S应呈现高阻值;而对于PMOS来说正好相反。 - 开启条件下(施加适当门限电压后),SD间应该表现为较低的导通电阻[Rds(on)]特性[^2]。 #### 注意事项 在实际检修过程中需要注意以下几点以防止误判以及保护其他关联组件免受损害: - 如果发现某个特定位置上的场效应晶体管已经损坏,建议同时检查并考虑替换周围的相关元器件,因为初始失败很可能牵连到了它们【^1】。 - 鉴于某些情况下即使看似完好的辅助部件也可能隐藏潜在隐患,遵循预防性维护原则往往能够有效减少后续麻烦的发生几率。 ```python # 示例代码展示如何模拟简单功能验证过程 (仅作为理论参考) def test_mosfet(vgs, vds): if abs(vgs) > VGS_MAX or abs(vds) > VDS_MAX: return False rds_on = calculate_rds_on() if rds_on >= RDS_ON_LIMIT: return False body_diode_voltage_drop = measure_body_diode() if not BODY_DIODE_VOLTAGE_RANGE.contains(body_diode_voltage_drop): return False return True ```
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