用于侧信道泄漏评估的CAD技术
在硬件设计中,侧信道泄漏评估对于保障系统安全至关重要。本文将详细介绍不同阶段的侧信道泄漏评估方法,以及SCRIPT框架在预硅阶段进行功率侧信道泄漏(PSCL)评估的具体内容。
1. 预硅与后硅PSCL评估对比
在进行侧信道泄漏评估时,预硅阶段和后硅阶段各有特点。以下是不同设计阶段PSCL评估的时间、准确性和灵活性对比:
| 阶段 | 时间 | 准确性 | 灵活性 |
| — | — | — | — |
| 预硅 - RTL | 中等 | 低 | 高 |
| 预硅 - 门级 | 高 | 中等 | 中等 |
| 预硅 - 布局 | 非常高 | 高 | 低 |
| 后硅 | 低 | 非常高 | ASIC不可行;FPGA困难 |
从表格中可以看出,后硅PSCL评估具有最高的准确性和最快的处理时间,但在进行设计更改以解决潜在漏洞方面的灵活性最差。对于ASIC,任何制造后的修改都不可行;对于FPGA,合成后比特流的修改也很困难。而预硅PSCL评估虽然准确性较差且处理时间长,但在解决潜在漏洞方面提供了更好的灵活性。
2. 预硅泄漏评估
曾有研究提出了名为AMASIVE的框架用于侧信道漏洞评估。该框架能够识别用于侧信道漏洞评估的汉明重量/汉明距离模型的假设函数。然而,它只能识别假设函数,最终的漏洞评估仍需在原型设备上进行,且需要数千个明文。
3. SCRIPT框架概述
SCRIPT框架旨在在预硅阶段进行PSCL评估。其主要流程如下:
1. 提取导致侧信道泄漏的函数的底层属性。
2. 利用信息流跟踪(
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