三星闪存的命名规则

三星存储芯片命名规则 1. Memory (K)2. NAND Flash : 93. Small Classification(SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell,SM : SmartMedia, S/B : Small Block)1 : SLC 1 Chip XD Card2 : SLC 2 Chip XD Card4 : SLC 4 Chip... 阅读详情

今天找三星闪存资料,发现了他的命名规则,发上来与大家分享下.

三星的pure nand flash(就是不带其他模块只是nand flash存储芯片)的命名规则如下:

1. Memory (K)
2. NAND Flash : 9
3. Small Classification
(SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell,
SM : SmartMedia, S/B : Small Block)
1 : SLC 1 Chip XD Card
2 : SLC 2 Chip XD Card
4 : SLC 4 Chip XD Card
A : SLC + Muxed I/ F Chip
B : Muxed I/ F Chip
D : SLC Dual SM
E : SLC DUAL (S/ B)
F : SLC Normal
G : MLC Normal
H : MLC QDP
J : Non-Muxed OneNand
K : SLC Die Stack
L : MLC DDP
M : MLC DSP
N : SLC DSP
Q : 4CHIP SM
R : SLC 4DIE STACK (S/ B)
S : SLC Single SM
T : SLC SINGLE (S/ B)
U : 2 STACK MSP
V : 4 STACK MSP
W : SLC 4 Die Stack
4~5. Density
12 : 512M
16 : 16M
28 : 128M
32 : 32M
40 : 4M
56 : 256M
64 : 64M
80 : 8M
1G : 1G
2G : 2G
4G : 4G
8G : 8G
AG : 16G
BG : 32G
CG : 64G
DG : 128G
00 : NONE
6~7. organization
00 : NONE
08 : x8
16 : x16
8. Vcc
A : 1.65V~3.6V
B : 2.7V (2.5V~2.9V)
C : 5.0V (4.5V~5.5V)
D : 2.65V (2.4V ~ 2.9V)
E : 2.3V~3.6V
R : 1.8V (1.65V~1.95V)
Q : 1.8V (1.7V ~ 1.95V)
T : 2.4V~3.0V
U : 2.7V~3.6V
V : 3.3V (3.0V~3.6V)
W : 2.7V~5.5V, 3.0V~5.5V
0 : NONE
9. Mode
0 : Normal
1 : Dual nCE & Dual R/ nB
4 : Quad nCE & Single R/ nB
5 : Quad nCE & Quad R/ nB
9 : 1st block OTP
A : Mask Option 1
L : Low grade
10. Generation
M : 1st Generation
A : 2nd Generation
B : 3rd Generation
C : 4th Generation
D : 5th Generation
11. "─"
12. Package
A : COB
B : TBGA
C : CHIP BIZ
D : 63-TBGA
E : TSOP1 (Lead-Free, 1217)
F : WSOP (Lead-Free)
G : FBGA
H : TBGA (Lead-Free)
I : ULGA (Lead-Free)
J : FBGA (Lead-Free)
K : TSOP1 (1217)
L : LGA
M : TLGA
N : TLGA2
P : TSOP1 (Lead-Free)
Q : TSOP2 (Lead-Free)
R : TSOP2-R
S : SMART MEDIA
T : TSOP2
U : COB (MMC)
V : WSOP
W : WAFER
Y : TSOP1
13. Temp
C : Commercial
I : Industrial
S : SmartMedia
B : SmartMedia BLUE
0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exception
handling code)
3 : Wafer Level 3
14. Bad Block
A : Apple Bad Block
B : Include Bad Block
D : Daisychain Sample
K : Sandisk Bin
L : 1~5 Bad Block
N : ini. 0 blk, add. 10 blk
S : All Good Block
0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exception
handling code)
15. NAND-Reserved
0 : Reserved
16. Packing Type
- Common to all products, except of Mask ROM
- Divided into TAPE & REEL(In Mask ROM, divided into TRAY, AMMO Packing Separately)

17~18. Customer "Customer List Reference"

注:这里说的容量单位都是bit,要除以8才是我们常说的容量值.

三星EMMC选型常识 三星EMMC中的型号:KLMAG2GE4A-A001,KLM8G1GEAC-B001,KLM8G1WEMB-B031, KLMAG2GEND-B041;其中A001、B001、 B031、B041的区别:[MMC4.41指:MMC协会订立MMC4.41协议] 其中A001采用的是MMC4.41协议;B001采用的是MMC4.5协议; B031采用的是MMC5.0协议;B041采用的是MMC5.1协议; 最直观的区别就是读写速度,协议版本越高,读写越快! 例如: MLC与TLC的区别 ... 阅读详情

相关推荐

三星(SAMSUNG)EMMC 产品规格书

三星EMMC规格书,支持eMMC5.1规范。8GB/16GB/32GB/64GB容量。

三星闪存芯片命名规律

1. Memory (K)2. NAND Flash : 93. Small Classification SLC : Single Level Cell; MLC : Multi Level Cell; SM : SmartMedia; S/B : Small Block 1 : SLC 1 Chip XD Card 2 : SLC 2 Chip XD Card

宁静致远 1万+

Samsung eMMC UFS Naming Rules.xlsx

三星eMMC命名规则和手册

Samsung Dram Emmc 尾缀知识

Samsung eMMCKLM8G1GETF-B041 006KLM8G1GETF-B041 003尾缀不同表示 Firmware不同,是有区别的。理论上尾缀数字越大兼容性越强。硬件是一样,主要是软件调配的不同。

DaisyCheng_的博客 2487

三星EMMC 5.1系列产品手册 datasheet

三星EMMC 5.1最新系列嵌入式存储芯片 KLMAG1JETD-B041 16G 到 128G系列产品文档

micron的emcp的命名规则

micron公司的emcp的命名规则,通过这个可以了解到型号的含义。

三星nand flash命名规则

三星nand命名规则 1. Memory (K) 2. NAND Flash : 9 3. Small Classification (SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell, SM : SmartMedia, S/B : Small Block) 1 : SLC 1 Chip XD Card 2 : SLC 2 Chip XD

LingDuBingZuo的专栏 2090

Android开发者必看:5分钟搞定DeepSeek API接入(附完整代码示例)

本文为Android开发者提供快速接入DeepSeek API的完整指南,包含环境配置、网络层设计、请求体构建等关键步骤,并附有详细代码示例。通过工程化实践,帮助开发者高效集成AI对话、代码生成等高级功能,提升移动应用竞争力。

bush的博客 537

三星,海力士,镁光nand flash命名规则

三星nand命名规则1. Memory (K)2. NAND Flash : 93. Small Classification(SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell,SM : SmartMedia, S/B : Small Block)1 : SLC 1 Chip XD Card2 : SLC 2 Chip XD Card4 : SLC 4 Chip XD CardA : SLC + Muxed I/ F ChipB : Muxed I/ F Chi

zjjyliuweijie的专栏 2万+

基于vue2的echarts3D地球

采用vue2+js实现了echarts3D地球的放大、缩小和旋转

qq_44699269的博客 1132

主成分分析避坑指南:为什么你的PCA结果总是不理想?

本文深入剖析了主成分分析(PCA)在实际应用中效果不佳的常见原因与解决方案。针对数据标准化、协方差矩阵选择、主成分数量确定、载荷矩阵解读等关键环节,提供了详细的避坑指南和诊断方法,并探讨了PCA的局限性及非线性数据结构下的备选方案,帮助数据分析师获得更稳健、可解释的降维结果。

convnet3designer的博客 512

NAND FLASH命名规则

常见的nand flash的命名规则

专注Android/嵌入式开发 9998

[NVME] CMBLOC-Controller Memory Buffer Location

CMBLOC-Controller Memory Buffer Location

jinyuya的博客 990

从SUMSUNG闪存芯片编号识容量

三星的闪存芯片均以K9打头,与容量相关的字段是从第4位到第7位。第4~5位表示闪存密度,12代表512M、16代表16M、28代表128M、32代表32M、40代表4M、56代表256M、64代表64M、80代表8M、1G代表1G 、2G代表2G、4G代表4G、8G代表8G、AG代表16G、(注意单位是bit)00代表没有。第6~7位表示闪存结构,00代表没有、08代表×8. 16代表×16. 3

caoshunxin01的专栏 1万+

LVGL 实战:虚拟列表与对象复用机制在嵌入式GUI中的性能优化

本文深入探讨LVGL虚拟列表与对象复用机制在嵌入式GUI中的性能优化实践。通过复用机制动态管理UI对象,大幅降低内存占用,实现无限滚动列表的流畅体验。文章详细解析核心算法、内存优化策略及跨平台适配技巧,帮助开发者在资源受限设备上高效处理大量数据展示。

rice5的博客 1107

Claude桌面端安装失败?Retrying无限重试终极解决方案(亲测有效)

Claude桌面端安装卡在Retrying并非网络问题,而是安装器下载源异常导致。本文提供已验证方案:一条命令即可解决问题🚀

XiaoqiangClub的博客 2345

三星emcp型号详解_eMMC & UFS 傻傻分不清?教你认识手机闪存

从不同角度来说,假期延长既是好事也是麻烦事,好的一面就是不用每天早起挤地铁,心安理得当个死宅,麻烦的一面嘛,可想而知相当长的一段时间内没有新产品,所以每日一更的内容选题……哎,好难。思来想去,还是说一下标题上这点事吧,尽管转头一想应该早就写过一次,权当温习一下。首先说点基础中的基础。闪存,英文叫 flash memory 简称 flash,是电子式的永久性存储器,区别于磁性存储的磁盘和激光刻录的光...

weixin_39608118的博客 7065

【Matlab】刃边法计算mtf

摘要:刃边法是一种测量光学系统调制传输函数(MTF)的常用方法。本文介绍了基于Matlab的MTF计算实现方案,包括图像灰度化、梯度计算、刀口方向选择、梯度投影等关键步骤,并给出了完整的代码实现。该方案可通过添加图像预处理、多方向计算、函数封装等方式进行扩展,提高MTF计算的准确性和实用性,适用于不同应用场景的光学系统性能评估需求。(148字)

unber的博客 389

深度解析LPDDR5内存颗粒命名规则与选型指南:六大厂商全攻略

在PC时代,DDR的内存颗粒一直是主导;在ARM移动时代,LPDDR逐渐后来居上,发展势头更猛。但内存领域,三星、镁光、海力士等国际大厂长期占据主导地位,而国产厂商如长鑫的崛起也为市场注入新活力,并且接连突破了DDR5和LPDDR5, 之前将DDR4的价格打下来了,随着DDR5和LPDDR5的技术突破,有望更快速将最新的DDR国产化。本文将聚焦LPDDR5 SDRAM,详细拆解各厂商的命名规则,助你在选型时游刃有余!

启芯硬件的博客 5101

【华为OD机试真题】3、 路灯照明问题 | 机试真题+思路参考+代码解析(C++、Java、Py、C语言、JS)

题目描述 >在一条笔直的公路上安装了N个路灯,从位置0开始安装,路灯之间间距固定为100米。 每个路灯都有自己的照明半径,请计算第一个路灯和最后一个路灯之间,无法照明的区间的长度和。

KJ.JK 1万+

计算机控制技术及应用

《计算机控制技术及应用》通过总结作者的科研成果和吸收国内外的先进理论、方法和技术,以计算机控制系统的网络化、开放化、智能化和集成化发展趋势为主线索,主要介绍计算机控制系统的基本概念和计算机控制系统的典型形式,计算机控制系统的数学描述与基本分析方法,以及数字PID控制器、最少拍控制系统、达林算法、状态变量设计法等设计方法及其各种改进算法。重点突出计算机控制系统输入输出通道接口的设计方法和典型控制系统的设计案例与实现方法等。

DDR3内存颗粒命名规则与选型指南:揭秘六大厂商的“密码本”

本文解析DDR3内存颗粒选型与命名规则,针对三星、镁光、海力士等六大厂商型号进行深度解读。三星颗粒(如K4B2G0846Q-H9)兼容性最佳;镁光(MT41J系列)性价比突出;海力士高频潜力优异;南亚适合预算有限场景。特别指出铠侠不产DDR3,长鑫尚未量产需警惕假冒产品。提供四大选型场景建议,强调识别翻新颗粒、关注时序性能等避坑要点,帮助工程师在老旧设备升级等需求中精准选型。

启芯硬件的博客 5261

华为的C语言编程规范.pdf

华为技术有限公司内部技术规范。本规范制定了编写C语言程序的基本原则、规则和建议。从代码的清晰、简洁、可测试、安全、程序效率、可移植各个方面对C语言编程作出了具体指导。

SLC和MLC闪存nand flsah的区别和历史

SLC和MLC

不精通则死 1181

VC中sqlite的使用

在VC中对sqlite的使用,实现数据库大批数据的快速插入,读取数据库中的数据在ListCtrl中显示

STM32F407中文手册

STM32f407中文手册 本参考手册面向应用开发人员,提供有关使用 STM32F405xx/07xx、STM32F415xx/17xx、 STM32F42xxx 和 STM32F43xxx 微控制器存储器与外设的完整信息。STM32F405xx/07xx、STM32F415xx/17xx、STM32F42xxx 和 STM32F43xxx 构成一个微 控制器系列,各产品具有不同的存储器大小、封装和外设。有关订购信息以及器件的机械与电气特性,请参见数据手册。有关 ARM Cortex™-M4F 内核的信息,请参见《Cortex™-M4F 技术参考手册》。

Nand Flash 命名规则

1、三星 NAND Flash CodeInformation Flash 命名规则" title="Nand Flash 命名规则" width="500" border="0">   1. Memory(K) 2. NAND Flash :9 3. SmallClassification (SLC : Single Level Cell, MLC : Multi

kernel_study的专栏 6415

三星K9F4G08U0F-SCB0:4Gb SLC NAND闪存颗粒技术规格

摘要:三星K9F4G08U0F-SCB0是一款4Gb(512MB)SLC NAND闪存颗粒,采用48引脚TSOP封装,支持3.3V供电和0°C~70°C工作温度。其核心优势包括100,000次擦写寿命、10年数据保持能力及25ns串行访问周期,适用于工业控制、网络通信等高可靠性场景。器件采用并行接口,组织结构为2KB页+64B备用区,支持ECC纠错,兼容主流NAND闪存时序。作为第7代SLC产品,它在性能与可靠性间取得平衡,是嵌入式存储的经典解决方案。

雅斯驰 687
上一篇: 酒桌上的规矩和诀窍
下一篇: [转]我的深圳面试体验--艾默生/西门子/华为/中兴/索尼/富士施乐/长城国际/ 马士基/SGS/宜家/
menuconfig
博客等级 码龄19年 713粉丝 6原创
评论 1
成就一亿技术人!
拼手气红包6.0元
还能输入1000个字符
 
 条评论被折叠 查看
添加红包

请填写红包祝福语或标题

个

红包个数最小为10个

元

红包金额最低5元

当前余额3.43元 前往充值 >
需支付:10.00元
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付元
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明:

1.余额是钱包充值的虚拟货币,按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载,可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值