exposure_line 是如何曝光的 ?

1、读者提问：

exposure_line 是如何曝光的，我看网上说这个代表的是一帧曝光多少行，

那如果一帧 exposure_line 小于frame_length，那一帧后面的行就不曝光吗？

不知道怎么理解，是曝光到1500行，然后继续在1501，继续曝光，一直循环，是这样理解的嘛？

2、问题回复：

曝光行是一个相对时间，他就是一个时间单位，和秒，毫秒一样的，都是用来表示曝光时间的单位。

曝光1500行不要理解成了曝光到了1500行，而是在当前亮度下，一帧图像曝光完成的时间就是1500行。

实际调试过程中，在室外高亮的场景下我们看当前曝光行可能就几行，但暗环境下曝光行会走满，曝光不够了，还会接着走 sensor gain 。

这个就是不同亮度场景下，一帧图像曝光完成，所需的时间不一样所致。

这里可以先计算出一行时间，然后乘以1500行，得出的就是曝光完成的绝对时间了。

可以理解一下如下三句话，对于逐行曝光的 sensor ，他们其实表达的都是一个意思：

    1帧图像曝光时间是10ms

    1帧图像用积分时间11行完成了10ms的曝光，这里假设1行的曝光时间是0.91ms

    1帧图像曝光10ms，一帧内所有的像素都曝光了10ms

注：关于曝光行，曝光时间，积分时间的概念可以看这篇文章：CMOS Sensor 的一些基本概念，及曝光相关的计算

见如下示意图，假设积分时间是11H（也可以说曝光时间是11行），

动图如下：

https://i-blog.csdnimg.cn/blog_migrate/0807d1d65c7bf755cce42af8a1bed384.gif

从示意图可以看出来，sensor 曝光的整个过程，是以11行为一个移动的窗口，

依次逐行先reset、再曝光、再readout的一个过程，每一行都曝光了11行。

第一行先reset，接着就开始曝光，当一直曝光11行后（看示意图可以理解成曝光11次，每次1行），

开始读出第一行，后面依次是每行曝光11行后，接着开始读出，直至读出整帧图像。

reset与第一次readout之间的时间即为每一行的曝光时间。

行消隐 (HBlank) 和场消隐 (VBlank) 是数字图像传感器工作过程中的两个重要概念。

行消隐 (HBlank)：行消隐是指传感器在每一行图像数据采集结束之后，需要进行的一些额外处理，以准备开始下一行数据的采集。在行消隐期间，传感器会执行一系列操作，如复位电荷、清除电荷等，以确保准确地捕获下一行的图像数据。行消隐期间，传感器的输出信号可能处于无效状态，因此输出的图像数据可能是无效的、空的或无意义的。

那上述说的reset过程是否是在Hblank这段时间做的呢？

场消隐 (VBlank)：场消隐是指传感器在每一场图像数据采集结束之后，需要进行的额外处理。一场图像是传感器从图像上方至下方完整地采集一遍的过程，通常代表一张完整的图像。在场消隐期间，传感器会执行类似于行消隐的操作，以准备开始下一场的图像采集。场消隐期间，传感器的输出信号可能处于无效状态，因此输出的图像数据可能是无效的、空的或无意义的。

也可以参考：Image Sensor卷帘曝光（Rolling Shutter）基本原理以及对曝光行的通俗理解
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