DDR4 spec Q&A part9

Q1: 什么是Burst Read Operation和Precharge操作，它们在DDR4内存中如何配合工作？

A1: Burst Read Operation（突发读取操作）是DDR4内存中的一种读取数据模式，它允许连续读取多个内存单元的数据。而Precharge（预充电）操作则是为下一次访问做准备，它会将指定Bank的所有位线重置到一个预定义的电压水平。

在DDR4中，这两种操作通常配合使用：当一次突发读取完成后，需要通过Precharge命令来关闭激活的行，为下一次访问做准备。文档中图114展示了"READ to PRECHARGE with Additive Latency and 1tCK Preamble"的时序，其中READ命令后跟随一个显式的PRE命令。而图115则展示了"READ with Auto Precharge"，这种模式下读取命令（RDA）包含了自动预充电功能，无需单独发送预充电命令。

这两种操作的正确配合对于内存性能至关重要，需要满足各种时序参数如tRTP（Read To Precharge time）和tRP（Row Precharge time）等。

Q2: DDR4内存中的Additive Latency (AL)是什么，它对内存操作有什么影响？

A2: Additive Latency (AL)是DDR4内存中的一个重要参数，它表示从发出读/写命令到实际开始内部列访问之间额外增加的延迟时钟周期数。

通过设置AL，内存控制器可以提前发出读/写命令，而实际的内部操作会在AL个时钟周期后才开始。这种机制可以更好地安排命令的流水线处理，提高内存总线的利用率，尤其是在高频操作时。

spec文档中的图114和图116展示了带有Additive Latency的读操作时序。例如，在图114中，AL = CL - 2 = 9，这意味着READ命令与实际内部列访问之间有9个时钟周期的附加延迟。

AL的存在影响了总的Read Latency (RL)和Write Latency (WL)的计算：

• RL = AL + CL（其中CL是CAS Latency）
• WL = AL + CWL（其中CWL是CAS Write Latency）

通过适当设置AL值，系统设计者可以优化命令调度，提高内存系统的整体性能。