AOS/万代 AON6324 30V 85A 6.2W 1个N沟道 场效应管(MOSFET)

类别
分立半导体产品
晶体管
FET，MOSFET
单 FET，MOSFET
包装
卷带（TR）
零件状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
85A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.1 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
28 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2719 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
83W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-DFN（5x6）
封装/外壳
8-PowerVDFN
基本产品编号
AON63