本文详细介绍了分立半导体产品AON24的N沟道MOSFET，包括其20V漏源电压、8A连续漏极电流、不同Id和Vgs下的技术规格，如驱动电压、RdsOn、Vgs(th)等，并涵盖了封装类型、功率耗散和工作温度范围等关键信息。
类别：分立半导体产品
晶体管
FET，MOSFET
单 FET，MOSFET
包装：卷带（TR）
剪切带（CT）
零件状态：在售
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：14.5 毫欧 @ 8A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：7 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）：±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：782 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）：2.8W（Ta）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：6-DFN（2x2）
封装/外壳：6-UDFN 裸露焊盘
基本产品编号：AON24
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