WINBOND/华邦 W29N01HVSINA TSOP48 1G位3.3V NAND闪存 FLASH存储器

1.一 般描述
W29N01HV (1G位) NAND闪存为嵌入式系统提供了存储解决方案，具有有限的空间、引脚和电源。它是RAM、固态应用程序和存储代码重影的理想选择媒体数据，例如语音、视频、文本和照片。该器件采用2.7V至3.6V单电源供电电源的有源电流消耗低至25mA，CMOS待机电流为10uA。
内存阵列总计138.412.032字节，分为1.024个135,.168 字节的可擦除块。每个模块由64个可编程页面组成，每个页面2,112字节。每个页面由2,048字节组成用于主数据存储区域，64 字节用于备用数据区域(备用区域通常用于错误管理功能)。
该W29N01HV支持标准NAND闪存接口，使用多路复用8位总线传输数据、地址和命令指令。五个控制信号，CLE、 ALE、 #CE、#RE和#WE处理总线接口协议。此外。该器件还有另外两个信号引脚，即#WP (写入保护)和RY/#BY (就绪/忙碌)用于监控设备状态。

2.特征
口基本功能
口命令集
-密度: 1Gbit (单芯片解决方案)
-标准NAND命令集
-Vee : 2.7V至3.6V
. 额外的命令支持
-总线宽度:x
口复制回
工作温度
口最低功耗
口工业: -40*C至85°C
-读取: 25mA (典型值3V)
口单层单元(SLC) 技术。
-编程/擦除: 25mA (典型值3V)
口组织架构
- CMOS待机: 10uA (典型值)
密度: 1G位/128M字节
口节省空间的包装
-页面大小
- 48引脚标准TSOP1
口2,112字节(2048+ 64字节)
- 48球VFBGA
. 块大小
- 63球VFBGA
口64页(128K+4K字节)
-联系华邦进行堆叠
口