《炬丰科技-半导体工艺》n-GaN的电化学和光刻

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：n-GaN的电化学和光刻

编号：JFKJ-21-820

作者：炬丰科技

摘要

    本文利用旋转盘伏安法、循环伏安法和电阻抗测量方法，研究了n-GaN在各种水溶液中的（光）电化学行为。结果表明，半导体的边缘位移超过60mV/pH单位，表明在界面上存在酸碱平衡。在硫酸和氢氧化钾溶液中，阳极偏置下的光电流与三等效反应下的半导体氧化有关，导致表面的溶解和粗糙化。在1.2M的盐酸溶液中，由于氯气离子的竞争氧化，n-GaN被稳定为阳极分解。在草酸和柠檬酸的存在下，观察到阳极光电流的增殖。在黑暗的阴极极化下，酸性介质中的Fe31、Ce41、HIO3和碱性介质中的Fe(CN)632以扩散有限的速率电化学还原。在1M氢氧化钾中，观察到o2/h2o还原的高反应性，这解释了为什么n-GaN可以在该溶液的开路条件下被光蚀刻。