《炬丰科技-半导体工艺》InP湿法化学蚀刻-去除氧化物

InP湿法化学蚀刻去除氧化物研究

最新推荐文章于 2025-12-09 20:24:55 发布

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本文介绍了《炬丰科技-半导体工艺》中关于InP半导体的湿法化学蚀刻，特别是在HCl和H2SO4溶液中去除氧化物的研究。实验表明，2M HCl和6M H2SO4可有效去除氧化物而不显著腐蚀(100) InP表面。使用STM和AFM测量，发现经过处理后，表面变得非常平滑，但6M H2SO4可能导致微米级的阶地。该过程对于III-V化合物半导体在集成电路中的集成至关重要。

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：InP湿法化学蚀刻-去除氧化物

编号：JFKJ-21-483

作者：炬丰科技

摘要

已经在 HCl 和 H2SO4 溶液中研究了 InP 及其天然氧化物的湿化学蚀刻，以创建无氧化物表面。(100) InP 表面未在 2 M HCl 和 6 M H2SO4 中蚀刻。由于这些浓度的 Vetch <0.1 nm/min，可以有效去除 OFOD 处理后的天然氧化物，而不会显着蚀刻表面，这通过接触角测量、椭圆光度法和 X 射线光电子能谱法证实。STM 和 AFM 测量表明，在 OFOD 处理和随后的氧化物去除后，由于原子平台的产生，可以获得非常光滑的表面。在 6 M H2SO4 中，这些阶地的大小可以增加到微米级。此外，表明在氧气存在下，n 型 InP 在湿法处理过程中被光刻/氧化。

介绍

对于过去和现在的技术节点，集成电路中的晶体管是在硅衬底上制造的，在某些情况下，使用 SiGe 合金。为了满足缩放路线图的未来要求，下一代晶体管（即 7 nm 节点及以上）将基于高迁移率 III-V 化合物半导体。到为了具有成本效益，III-V 族材料将集成在 Si 衬底上。在本文的 A 部分，我们展示了这种技术的可能集路线；使用 InP 缓冲和 I

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