《炬丰科技-半导体工艺》底层薄膜对化学机械抛光的影响

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：底层薄膜对化学机械抛光的影响

编号：JFKJ-21-287

作者：炬丰科技

摘要  

  研究了基底膜对化学机械抛光去除率的影响。一个模型提出了与抛光去除率有关的力学性能，如硬度和杨氏模量。此外，提出了一种改进的浅沟槽隔离工艺与薄氮涂层，以消除盘化和氧化物残留在氮化物问题上。此外，为了减少残留颗粒和金属污染，研究了改进的化学喷雾清洗工艺。 

关键词:化学-机械抛光;浅沟隔离技术 

介绍

  当器件的几何形状继续缩小，电路复杂性继续增长时，器件隔离成为一个难题限制电路密度的主要因素。由于横向侵蚀电场，硅氧化在生成小于微米时存在局限性。在器件上的氧化物有活性的区域，场氧化物在变薄暴露的硅的亚微米区域，非平面性，和应力诱导的硅缺陷。 

实验  

采用CMP抛光机，用于抛光的晶圆为200毫米本研究主要采用悬浮在碱性介质中的二氧化硅胶体。

结果与讨论

 

 

 

结论

这项工作研究了底层膜对STI化学机械抛光的影响。    略