《炬丰科技-半导体工艺》氮化镓相关材料工艺挑战

最新推荐文章于 2025-12-05 11:17:30 发布
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#人工智能 #机器学习

本文探讨了氮化镓作为半导体替代材料的优势与挑战，特别关注了其在ICP腐蚀剂中腐蚀速率与偏压的关系，以及德州仪器提供的6英寸GaN-on-Si晶圆在项目工艺流程中的应用，着重于外延生长技术的现状和发展需求。

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：氮化镓相关材料工艺挑战

编号：JFKJ-21-270

作者：炬丰科技

介绍

  几十年来，硅一直是半导体的选择，用于制造电源晶体管。硅垢的物理限制迫使研究和采用新材料。在生产准备的发展 ，III-V化合物半导体 ，氮化镓(GaN)是硅的一个有吸引力的替代品。优势:更高的体积流动性比硅，更高的通电流和更低的关电流，缺点:GaN薄膜的外延生长仍处于发展阶段，需要进一步的工作。

项目工艺流程

样本采集

 

由德州仪器提供的6英寸GaN-on-Si晶圆。  

氮化镓腐蚀理论

氮化镓在ICP腐蚀剂中的腐蚀速率与偏压的关系

  氮化镓是一种坚韧的蚀刻材料。 Ga和N 原子之间以离子形式结合因此它的键能比传统Si或大多数其他iii - v材料坚韧。

台面腐蚀:  

 

 

 

hlkn2020
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氮化镓芯片是一种新型的半导体材料，具有高频率、高功率、高温稳定性和低损耗等优点，被广泛应用于电力电子器件、光电子器件和微波器件等领域。随着科技的不断发展，氮化镓芯片的应用前景越来越广阔，例如在新能源汽车、光伏发电、通信基站等领域都有广泛的应用。因此，研究和开发氮化镓芯片的制备方法和技术对于推动科技进步和产业发展具有重要意义。
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