书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：超声水在硅片清洗过程中的潜力
编号：JFKJ-21-278
作者：炬丰科技
介绍
作为硅器件技术在微电子和光伏行业，超净晶圆表面理化性质的良好控制研究进展 。因此，清洁的衬底表面在大规模集成(ULSI)制造工艺中至关重要，以获得最大的器件 性能、长期可靠性和高产量，存取存储器(DRAM)的制造过程有多达70个清洗步骤。在0.18 μ m互补金属氧化物半导体中，共400步 (CMOS)技术的清洗步骤。
声学基本原理
《炬丰科技-半导体工艺》超声水在硅片清洗过程中的潜力
炬丰科技的最新研究揭示了超声波在半导体行业中，特别是在0.18μm互补金属氧化物半导体(CMOS)清洗过程中的重要性，强调了其在控制微电子和光伏器件性能、提升清洗效率和可靠性方面的作用，涉及多达70个清洗步骤的精密工艺.
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