《炬丰科技-半导体工艺》Micro-LED 显示器量化生产关键技术

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本文聚焦Micro-LED显示器的产业化发展，探讨了基于硅、蓝宝石衬底的GaN外延生长，芯片侧壁原子层沉积，以及芯片转移和晶圆级键合等关键技术，对于显示器技术的高分辨率、低功耗要求具有重要意义。

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：Micro-LED 显示器量化生产关键技术
编号：JFKJ-21-303
作者：炬丰科技

摘 要 
  为快速推动 Micro-LED 显示器产业化发展，结合 Micro-LED 微显示器的性能特点、制造 工艺流程和产品应用优势，重点分析了基于硅、蓝宝石衬底的 GaN 外延生长技术、芯片侧壁原子 层沉积技术、芯片转移和晶圆级键合等技术。 
关键词： 新型平板显示；微缩化发光二极管；有机化合物化学气相沉积；原子层淀积；晶圆键合
材料制造工艺与设备
  显示器产业技术正朝着高分辨率、高亮度、低功耗和柔性化快速发展，如图 1 所示，新型平板显 示技术主要包括液晶显示 （LCD）、等离子显示、有机发光二极管显示（OLED）和微缩化发光二极管显示（Micro-LED）等几类。

Micro-LED 微显示器制造工艺流程

   Micro-LED 微显示器生产制造主要包括衬底外延生长、芯片制造、电路互联键合、性能检测等环节，各环节都有相应的材料、工艺、设备等关键技术要求。Micro-LED 微显示器基本工艺流程。

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