书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：紫外线臭氧对硅表面的清洁和调理
编号：JFKJ-21-245
作者：炬丰科技
摘要
本文测试了三种方法对超薄氧化层硅片表面的清洁和调节的适用性:两种UV/O3源(汞蒸气灯和高效准分子模块)以及在HNO3中湿式化学氧化。研究表明，通过UV/O3(汞蒸气灯)照射可以去除碱性变形过程中硅化和掩蔽表面所产生的有机残留
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