《炬丰科技-半导体工艺》变压器耦合等离子体改善晶片蚀刻的方法

最新推荐文章于 2022-01-06 13:30:24 发布

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《炬丰科技-半导体工艺》一书中探讨了变压器耦合等离子体(TCP)如何用于改善晶片蚀刻过程中的不均匀性问题。由于TCP线圈电压节点和硬件不对称导致的磁通量不匀，通过引入变压器耦合电容调谐电路，可以更有效地控制和均匀化蚀刻过程，提高半导体制造的精度和一致性。

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：变压器耦合等离子体改善晶片蚀刻的方法

编号：JFKJ-21-252

作者：炬丰科技

介绍

背景

半导体晶片内的蚀刻速率剩余不均匀性可能是由TCP线圈产生的磁通量的不均匀性引起的。TCP线圈在内的大多数电感耦合等离子体系统. 依靠线圈和腔室

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