嵌入式系统中存储器的类型、时序计算与刷新策略
1. 数据保持时间与闪存时序计算
在嵌入式系统中,数据保持时间足够快通常不是问题。然而,当一个非常快的处理器与一个慢速的可擦除可编程只读存储器(EPROM)连接时,保持时间可能会成为问题。如果计算出的保持时间存在问题,解决方案是使用数据缓冲器或更换更快的EPROM。
闪存的时序计算与EPROM类似,但还必须考虑写入时序。在这方面,闪存的时序与随机存取存储器(RAM)相似。
2. RAM的类型
嵌入式系统中通常使用两种类型的RAM:
- 静态随机存取存储器(SRAM) :这是最常见的类型。“静态”意味着除非重写或断电,否则存储单元不会改变其状态。SRAM由芯片内部的解码阵列选择的触发器阵列组成,通常有x8配置,但也有一些x16的设备。
- 非易失性随机存取存储器(NVRAM) :这是SRAM的一种特殊情况,由一个特殊的低功耗RAM芯片和一个电池(通常是锂电池)封装在一起。组合中还包括电源切换电路,当系统电源可用时,RAM由系统电源供电;当系统电源断开时,由电池供电。切换逻辑还能防止在电源低于某个阈值(通常是系统电源开启或关闭时)意外写入RAM。
- 动态随机存取存储器(DRAM) :常用于个人计算机(PC)。它将信息以电荷的形式存储在每个数据位对应的小电容器中。由于电容器的电荷会逐渐泄漏,数据必须定期刷新。DRAM将地址引脚复用为行地址和列地址,行地址通过行地址选通信号(RAS)锁存,列地址通过列地址选通信号(CAS)锁存。与SRAM相比,DRAM的接口设计更复杂,但单个
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