9、铂钴氧化物缺陷退火及对输运性质的影响研究

铂钴氧化物缺陷退火及对输运性质的影响研究

1. 缺陷退火研究

1.1 室温下的缺陷稳定性

在对 PtCoO₂ 样品进行电子辐照后，引入了相当于 0.03% 缺陷浓度的损伤。将辐照后的样品置于室温下 21 天，并持续监测其电阻。结果发现，除了因温度变化引起的微小波动外，电阻率在这期间没有明显变化。60 天后的额外测量也显示，与 295K 时的辐照后值相比，没有显著差异。这表明在室温下残留的引入缺陷在较长时间内是稳定的。

1.2 高于室温的退火研究

由于室温下的退火过程不完全，因此进行了高温等时退火研究。选取一个辐照后的 PtCoO₂ 样品（样品 C），在室温退火后低温电阻率为 129 nΩcm。将其放入加热到 50°C 的炉中保持 30 分钟，然后重新测量 5K 到 300K 之间的电阻率。这个过程以一系列退火温度重复进行，直到 390°C，因为在 400°C 时，基于 Pt 的触点和云母基板会受到严重损坏。

退火温度（°C）	现象
室温 - 110°C	电阻率无显著变化
约 110°C	电阻率突然下降，对应于与辐照前值剩余差异的 24% 损失
约 130°C	对应新的退火过程，由增加的热能驱动
300°