03—DDR时序约束

DDR时序约束

1. 介绍

• 线长匹配：DDR的线长误差控制为±10mils，这个对于时序很重要，以防止数据损坏和操作故障。
• 阻抗控制：常规下单端阻抗控制为50Ω，差分线阻抗控制为90Ω，需保持阻抗的一致性，以避免信号反射和损耗。
• DDR布线工具：用Allegro提供的Auto Delay Tune和Timing Vision等高级功能，以实现有效的DDR走线和约束管理。

DDR布线必须遵守解决现有电气挑战的设计指导，以保持信号完整性和功能。设计者首先要考虑DDR的时序约束从而再进行设计，这对于消除静电和确保信号质量至关重要。将约束或设计规则应用于DDR布线设计中。

2. DDR的介绍

PCB布线中通常会用到双倍数据速率（DDR）存储器。顾名思义，DDR存储器允许在单个时钟周期内发生两次数据位转换，从而使在单个周期内使数据量增加一倍。“double data rate” 意味着它可以在时钟时序的上升沿和下降沿上获取数据，这点与RAM不同，RAM仅在一个时钟沿上获取数据。考虑到DDR时序约束，存储器件通常采用手动布线，以保证对布线问题的控制，例如地址、数据和控制信号之间的间距。