12、强反型饱和区FGMOS滤波技术解析

强反型饱和区FGMOS滤波技术解析

在电子电路设计中，强反型饱和区的FGMOS（浮栅MOS晶体管）滤波技术有着重要的应用。本文将深入探讨其在共模抑制比、二阶效应、电源抑制比等方面的特性，并通过一个滤波器设计实例展示其性能。

1. 共模抑制比（CMRR）分析

共模抑制比是衡量差分放大器对共模信号抑制能力的重要指标。在特定情况下，由公式（5.42）预测的CMRR最小值可达82 dB。当考虑(Gm ≈ gm3)的情况时，CMRR的计算公式变为（5.43）：
[
CMRR ≈ \frac{Gm}{Goutn + Goutp}×
\left(
\frac{Ao\left(\frac{CT}{Cin}\right)\left(1 + \frac{CCM}{CT}\right)}{\left(-\frac{CT}{Cin}\right)\left(1 + \frac{CCM}{CT}\right) + (\Delta_{23} + \Delta_{22})\frac{CCM}{CT} + \left(\frac{CT}{Cin} + 1\right)\frac{CCM}{CT}\Delta_{24}}
\right)×
\left(
\frac{(\Delta_{13} - \Delta_{12}) + \left(\frac{CT}{Cin} + 1\right)\Delta_{14}}{\left(1 + \frac{CCM}{CT}\right) + \frac{CCM}{CT}(\Delta_{22} - \Delta_{23} - \left(\frac{CT}{Cin} + 1\right)\Delta_{24})}
\r