MOS管配合单片机控制+5V电压的通断

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#单片机

NPN:基极（B）接10K电阻到TTL电平，射极（E）接地，集电极（C）接10K电阻到电源输入（Vin）。
PMOS：源极（S）接电源输入（Vin），栅极（G）接NPN的集电极(C)，漏极(D)电源输出（Vout）。
这样当TTL输出一个高电平，PMOS就把电源通道打开。反之，则关断电源通道。

 

用三极管来做，如果你的单片机也是5V工作的话。可用下面这个电路

 

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cs9dn003
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P-N_MOS管_H桥驱动原理.pdf
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单片机3.3V GPIO 控制 5V 通断
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POWER_EN为高电平时，Q2导通，使得Q1sg两端有压差，达到Q1的导通电压，此时Vin输出到Vout，这个Vin可以是12V。这样就达到了控制12V通断的要求，当然这个Q1的选型需要参考这个12V的供电电流来选型，如果电流大，需要选择Is大的MOS管。POWER_EN为低电平时，Q2截止，使得Q1sg两端没有压差，Q1截止，此时Vout没有电压。另外，也可以选择用继电器来控制12V的电压通断。...
单片机检测信号通断通用电路（3.3V/5V直流信号，24V+直流信号，220V交流信号）
不浮夸，不将就，认真对待学知识的我们
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在实际的电路设计中，往往需要用到单片机检测某些信号通断，检测电压有无。 在一定的范围内，比如3.3V的直流信号，单片机的IO是可以直接连接信号检测的， 但是往往实际信号各种各样，24V/48V直流，220V交流，甚至380V交流， 单片机就无法直接检测了，今天我们来总结介绍一些常见的信号检测电路
如何通过MOS管控制电源通断以及缓启动
谢谢关注“小鱼教你模数电”,各平台同号
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树卡花
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基于单片机控制电压输出
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使用mos管搭建的H桥电路在使用过程中需要注意哪些问题
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开关电源的DC5V输出，万用表通断档测试是导通的原因：5V输出变压器线圈两端只并联的滤波电容，所以测试通断相当于测试线圈的内阻了。下文是以UC3845芯片为应用的开关电源电路可供参看查看5V输出端口
二进制模----细微行动改变影响世界
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双向可控硅控制220v通断电路_单片机控制220V交流回路的通断，不用继电器如何实现？...
weixin_42421177的博客
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控制交流负载回路的通断，通常会用到继电器。继电器是机械式触点的电磁元器件，可以实现弱电控制强电的目的。但是在带电流分断负载回路时，会产生电弧腐蚀触点，降低了继电器的使用寿命，并且继电器触点的响应时间在ms级别，不适合用于高速通断的回路中。题目不想用继电器来控制交流回路的通断，那么可以考虑使用可控硅来实现。1 什么是可控硅可控硅是具有四层结构的PNPN型半导体器件，可以看作是由两个三极管所...
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单片机加一级隔离驱动大功率MOS管，会比较稳妥：
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三极管和MOS管 字母对应
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<think> 首先，用户意图是查找三极管和MOS管字母对应的相关信息。问题具体是“三极管和MOS管字母对应关系”。我需要通过调用网络搜索工具进行检索。 步骤： 1. **理解问题**：用户想知道三极管和MOS管在使用时的字母标识，比如在电路中，字母如B、C、E表示三极管的基极、集电极、发射极；MOS管有G、D、S表示门极、漏极、源极。用户可能在寻找这些标准的对应关系。 2. **调用网络搜索工具**：我需要模拟搜索过程。实际中，我会搜索关键词如“三极管引脚字母对应”、“MOS管引脚符号含义”、“transistor pin letters meaning”、“MOSFET pinout letters”等。检索结果应该包括： - 三极管（BJT）：基极（Base）、集电极（Collector）、发射极（Emitter），对应字母B、C、E。 - MOS管（MOSFET）：门极（Gate）、漏极（Drain）、源极（Source），对应字母G、D、S。 - 可能还有额外的信息，如NPN和PNP三极管的区别，增强型和耗尽型MOS管的区别。 3. **整合内容**：生成详细清晰的回答。回答需要： - 组织为多个方法或步骤，但避免使用步骤词汇如“首先”、“然后”。所以，使用换行分隔不同部分。 - 避免第一人称。 - 禁止将所有引用内容集中在末尾；应该整合到回答中。 - 如果有代码或公式，例如在描述电流公式时，需要使用指定的格式。但这个问题可能不涉及公式或代码，所以可能不需要。 4. **回答结构**： - 开头直接回答问题。 - 分成三极管部分和MOS管部分，每个部分列出对应关系。 - 提供实用信息，如电路图中的标注。 - 确保清晰、简洁。 5. **相关问题部分**：在回答末尾，添加“§§相关问题§§:”标题，在同一行，不能换行或分割。列出至少3个相关问题，基于用户原始问题和我的回答。例如： - 如何区分NPN和PNP三极管？ - MOS管的漏极和源极有什么区别？ - 在电路中如何测试三极管的引脚？ - 确保每个问题用阿拉伯数字标号。 最终回答草稿： - 回答主体： 三极管（BJT）的字母对应关系： B 表示基极（Base），C 表示集电极（Collector），E 表示发射极（Emitter）。 MOS管（MOSFET）的字母对应关系： G 表示门极（Gate），D 表示漏极（Drain），S 表示源极（Source）。 提供一些上下文或常见应用。 - 相关问题： §§相关问题§§: 1. NPN和PNP三极管有什么不同？ 2. 如何识别MOS管的引脚？ 3. 在三极管电路中，基极电流如何计算？ 确保遵守所有要求。 </think> ### 三极管和MOS管字母对应关系 三极管（BJT）的标准引脚字母对应关系如下： B 表示基极（Base），用于控制电流 C 表示集电极（Collector），负责收集电荷 E 表示发射极（Emitter），释放电流源 MOS管（MOSFET）的标准引脚字母对应关系如下： G 表示门极（Gate），控制开关状态 D 表示漏极（Drain），连接电源正极 S 表示源极（Source），连接电源负极或地线 实际电路中，这些字母常用于原理图标注；NPN型三极管和增强型MOS管最常见，但PNP三极管或耗尽型MOS管引脚顺序不变。 电路中符号的使用需遵循国际标准，避免混淆；常用公式如三极管电流增益 $h_{FE}$ 或MOS管阈值电压 $V_{GS(th)}$ 需结合引脚理解。
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