5v单片机驱动BUCK电路的MOS管



图一：适合开关频率不高的场合，一般低于2KHz。

其中R1=10K，R2 R3大小由V+决定，V+越高，R2 R3越大，以保证电阻及三极管功耗在允许范围，同时保证R2和R3的分压VPP=V+ 减10V，同时V+不能大于40V。

补充：

图二：适合高频大功率场合，到达100KHz没问题，同时可以并联多个MOSFET-P管

R2 R3需要满足和图一一样的条件，其实就是图一加了级推挽，这样就可以保证MOSFET管高速开关，上面6P小电容是发射结结电容补偿电容，可以改善三极管高速开关特性。另外：MOSFET的栅极电容较大，在使用的时候应该把它当成一个容抗负载来看。

补充：

最后需要说明的是，我给你全用的P沟道管，而没有N沟道，是因为在你的应用电路上使用N沟道管得话还需要一个自举电路来提升栅极电压，以保证MOS管完全导通，有点麻烦。