cgk123的博客

电容器是用于储存电荷的器件，其中包含一对或多对由绝缘体分隔的导体。电容器通常由铝、钽或陶瓷等材料制成。各种材料的电容器在系统中使用时具有各自的优缺点，如表 1 所示。陶瓷电容器通常是理想的选择，因为其电容变化最小，而且成本较低。表 1：不同材料电容器的优缺点。电容器是用于储存电荷的器件，而电容是指储存电荷的能力。在理想情况下，电容器上标注的值应与其提供的电容量完全相同。但我们并未处于理想情况下，不能只看电容器上标注的值。在一定的条件下电容器的电容可能只有其额定值的 10%。

热敏电阻是指电阻会伴随温度变化而变化的电子零部件。由于热敏电阻器可通过电阻值的变化进行温度检测，因而可作为温度传感器使用，目前它已被广泛使用于我们周围的产品中。其中，“NTC热敏电阻器”是一种元件，它具有电阻值会伴随温度升高而减小的特性。下文将会对NTC热敏电阻器进行介绍。热敏电阻器使用半导体陶瓷制作而成，这种半导体陶瓷的电阻值会随着温度的变化而变化。热敏电阻器包括两种类型，即PTC（Positive Temperature Coefficient）热敏电阻器，其电阻值会随着温度升高而增大；

本文章是笔者整理的备忘笔记。希望在帮助自己温习避免遗忘的同时，也能帮助其他需要参考的朋友。如有谬误，欢迎大家进行指正。

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音频功放将小信号的幅值提高至有用电平，同时保留小信号的细节，这称为线性度。放大器的线性度越好，输出信号越能真实地表示输入信号。音频功放种类越来越丰富，在选择适合具体应用的最佳音频放大器IC时，设计者必须了解可选用的音频功放类型及其特点。这是确保选择最佳音频功放的唯一方法。下文将会介绍当今可用的各种音频功放的重要特点：A类、B类、AB类、D类、G类、和DG类。本文简要介绍了当今设计中常用的多种音频功放。无论为何种类型的设备设计音频电路，都应该严格确定最适合具体应用的音频放大器结构。

选择ESD器件的时候需要向供应商/制造商索要详细用户手册，并综合考虑上速的各种指标，这样子可以系统的选择适合特定应用需求的ESD保护器件，以确保电子设备的安全和可靠性。

固态继电器是一个电子开关，在控制端子上施加外部电压时打开或关闭。固态继电器的典型应用与机电继电器相同；但主要区别在于，固态继电器没有活动部件，并具有可靠性优势。固态继电器的常见示例包括光学继电器或光电继电器，或者具有电容式或电感式隔离的隔离式开关和隔离式开关驱动器。固态继电器适用于高压系统，可提供比机电继电器更好的总体可靠性和性能。与机电继电器相比，光电或光学设计在可靠性方面有了初步的改进，而电容隔离和电感隔离等较新的技术能够实现高级保护功能并进一步提高可靠性。

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Flash主要分两种，Nand Flash和Nor flash。Nor的成本相对高，容量相对小，比如常见的只有128KB，256KB，1MB，2MB等等，优点是读写数据时候，不容易出错。所以在应用领域方面，Nor Flash比较适合应用于存储少量的代码。Nand flash成本相对低，缺点是使用中数据读写容易出错，所以一般都需要有对应的软件或者硬件的数据校验算法，统称为ECC。

1. 当天线尺寸小于四分之一波长时，其效率会受到显著的影响，并且急剧降低，这主要是由于辐射电阻的降低、电抗分量的增加、带宽限制、阻抗匹配问题以及辐射模式的变化。：缩短天线尺寸，工作带宽会降低，因为缩短的天线必须有较高的Q值。2. 当天线尺寸大于四分之一波长时，其效率会受到一些影响，并逐渐降低，其效率可能不会达到最佳状态，因为辐射电阻可能不会最优，且可能会受到更多损耗因素的影响。3. 当天线尺寸等于四分之一波长时，可以达到较优的辐射电子，阻抗匹配，带宽和效率，在这种条件下，天线的性能较优。

1. 目的：检验电容样品外观是否与规格书一致，制程工艺是否良好，确保部品的品质。2. 仪器：放大镜3. 测试说明：（1）样品上丝印与规格书中相符，丝印信息（片状陶瓷电容除外）a)标称容值；b)标称容值精度；c)详细规范号和品种标记；注意：电容器上应清晰地标出a)b)，并尽可能标出其余认为必要的项目。电容器上的标志内容应避免任何重复。电容器包装上应清楚地标出所列项目的全部内容。任何附加标志不应引起混淆。（2）检验外观，主要包含以下几点，必要时使用放大镜进行检查：a)

用陶瓷材料作介质，在陶瓷表面涂覆一层金属（银）薄膜，再经高温烧结后作为电极而成。瓷介电容器又分 1 类电介质（NPO、CCG）；2 类电介质（X7R、2X1）和 3 类电介质（Y5V、2F4）瓷介电容器。

本次设计采用的 SDRAM 芯片为 Winbond W9812G6KH，查询数据手册发现其容量为：2M × 4 banks × 16 bits = 128 Mbit，其中 2M 为“行数×列数”，4为 L-Bank 数量，16 为单个存储单元的容量，即数据位宽。SDRAM 的内部是一个存储阵列，就像一张表格，我们在向这个表格中写入数据的时候，需要先指定一个行（Row），再指定一个列（Column），就可以准确地找到所需要的“单元格”，这就是 SDRAM 寻址的基本原理。数据写入需要特定条件，数据存取慢。

目前发现，因光偶的选型，光偶工作电流，CTR参数选型不合适，工作温度设计不当等原因导致产品出现问题，如何减少选型，设计，替代导致的产品问题，这里做一些指导的介绍，更好的进行器件的选型和设计，提高产品的质量。CTR 值与光偶的工作环境有关，温度高于25℃时，光耦的CTR会逐渐变小，温度低于25℃时，光耦的CTR值会逐渐变大。据分压原理可知，即使干扰电压的幅度较大，但馈送到光电耦合器输入端的杂讯电压会很小，只能形成很微弱的电流，由于没有足够的能量而不能使二极体发光，从而被抑制掉了。

磁珠在实际的应用中，随着频率的改变，阻抗会相应的发生变化，随着流通电流大小的变化，阻抗也会相应的发生变化。磁珠由氧磁体组成，电感由磁芯和线圈组成，磁珠把交流信号转化为热能，电感把交流存储起来，缓慢的释放出去，所以说电感是储能，而磁珠是能量转换(消耗)器件。从上图可以看出，通过磁珠的电流增大时，其阻抗会下降，阻抗下降就意味着抑制噪声的性能会变差，电流减小时，阻抗又会变大，性能会复原。有一点需要注意，看上图，在100MHz时，磁珠的阻抗并不是最大的，所以在选型时可以根据噪声频点，选择频点附近阻抗最大的型号。

贴片电阻器：消除周边器件，将电阻器焊接在尺寸对应的废PCB板焊盘上，用推拉力计与PCB方向推角度小于30°，与焊盘方向垂直，推力不小于1kg（0603以下），0603以上不小于1.5kg，具体如图所示。然后，应将电阻器从箱中取出，放在装有适当干燥剂（如 V-14200001-000蒙脱石、活性氧化铝或硅胶）的容器中冷却，并保持到规定的试验开始。备注：插件电阻器，将电阻引脚的一半按相反的方向连续弯曲两次(共四次)，引脚无断裂、引脚和本体无松动或脱落。20℃环境下，测量电阻的阻值，是否符合阻值精度要求。

但这种场合一看就知道道前置频率倍减器的电源好像有问题，这是由于指示不到位，在旁路电容器安装了与其他部分相同的分立0.1μF叠层陶瓷电容器(高介电常数系列)，并且其位置和模式拉回好像在频率中有困难。在没有导线，并列追加电介质好的低介电常数系列片状电容器时，虽然静电容量自身小，但电源的阻抗可以降低，防止错误动作。图1是用于1.9GHz频带的PLL信号发生器使用的前置频率倍减器的电路图。如图3所示，在IC的电源和GND的元件之间，按照最短距离附加1000pF低介电常数系列片状电容器的时候，错误动作完全停止。

由于光纤的构造关系（对称圆柱体），其规格一般以直径来描述，主要的指标是纤芯直径和包层直径，包层规格由于标准组织的规定，统一为125um，而对于纤芯规格，多模光纤的纤芯直径有50um（欧洲标准）和62.5um（美国标准）两种（50um的传输性能要优于62.5um），单模光纤的纤芯直径规格为8-10um，最常见的是9um；光纤与光纤/光源之间的连接有两种方式，一种是使用专用的设备将两根光纤熔接起来，主要用于光纤长度的延长，另外一种则是使用光纤连接器，用于光纤跳线或是不同光纤连接器的转换，这边仅介绍后者。

多层陶瓷电容器是由印好电极（内电极）的陶瓷介质膜片以错位的方式叠合起来，经过一次性高温烧结形成陶瓷芯片，再在芯片的两端封上金属层（外电极）制成的电容。