GRU
假设我们已经熟知循环神经网络(RNN)及长短时间记忆网络(LSTM)。相比于简单的RNN,LSTM增加了记忆单元(memory cell)、输入门(input gate)、遗忘门(forget gate)及输出门(output gate),这些门及记忆单元组合起来大大提升了RNN处理远距离依赖问题的能力。
RNN:
H t = ϕ ( X t W x h + H t − 1 W h h + b h ) H_{t} = ϕ(X_{t}W_{xh} + H_{t-1}W_{hh} + b_{h}) Ht=ϕ(XtWxh+Ht−1Whh+bh)
长短期记忆long short-term memory
遗忘门:控制上一时间步的记忆细胞
输入门:控制当前时间步的输入
输出门:控制从记忆细胞到隐藏状态
记忆细胞:⼀种特殊的隐藏状态的信息的流动
I t = σ ( X t W x i + H t − 1 W h i + b i ) F t = σ ( X t W x f + H t − 1 W h f + b f ) O t = σ ( X t W x o + H t − 1 W h o + b o ) C ~ t = t a n h ( X t W x c + H t − 1 W h c + b c ) C t = F t ⊙ C t − 1 + I t ⊙ C ~ t H t = O t ⊙ t a n h ( C t ) I_t = σ(X_tW_{xi} + H_{t−1}W_{hi} + b_i) \\ F_t = σ(X_tW_{xf} + H_{t−1}W_{hf} + b_f)\\ O_t = σ(X_tW_{xo} + H_{t−1}W_{ho} + b_o)\\ \widetilde{C}_t = tanh(X_tW_{xc} + H_{t−1}W_{hc} + b_c)\\ C_t = F_t ⊙C_{t−1} + I_t ⊙\widetilde{C}_t\\ H_t = O_t⊙tanh(C_t) It=σ(X