7、深入探究MOCVD生长的InGaN/GaN多量子阱LED特性

深入探究MOCVD生长的InGaN/GaN多量子阱LED特性

1. 引言

InGaN/GaN多量子阱（MQW）发光二极管（LED）在照明、显示等领域具有广泛应用前景。本文将深入探讨其结构特征、光学性质以及相关的研究方法，旨在揭示其内在物理机制，为进一步优化LED性能提供理论支持。

2. 结构特征

2.1 量子阱宽度

通过横截面高分辨率透射电子显微镜（HR - TEM）观察和高角度环形暗场（HAADF）图像，可以清晰识别量子阱（QW）结构。不同样品的阱和势垒宽度有所不同，例如8 - QW样品QW8a的阱和势垒宽度分别为3/10 nm，5 - QW样品G978的阱和势垒宽度分别为4/40 nm，这些结果与X射线衍射（XRD）测量和模拟结果相符。

2.2 V型缺陷

InGaN/GaN MQWs结构中存在典型的V型缺陷，通常从大约第四个量子阱开始出现。由于GaN和蓝宝石之间的大晶格失配形成的穿线位错，在缺陷周围会产生较大畸变，表现为明亮对比度。穿线位错会破坏InGaN/GaN MQWs并引发V型缺陷，V型缺陷具有倒六角金字塔形{10 - 11}侧壁，对InGaN/GaN MQWs的光学性质有重要影响。

以下是V型缺陷相关特征的表格总结：
|特征|描述|
| ---- | ---- |
|起始位置|大约第四个量子阱|
|形成原因|GaN和蓝宝石晶格失配产生穿线位错|
|形状|倒六角金字塔形{10 - 11}侧壁|
|影响|对光学性质有重要影响|

2.3 结构特征的观察方法

HAADF - STEM显微镜图像是研究InGa