35、Ⅲ族氮化物纳米材料的生长与特性

Ⅲ族氮化物纳米材料的生长与特性

1. 氮化镓（GaN）纳米结构

氮化镓纳米结构通过多种溶液和气相方法生长，研究了多种不同的源材料和催化剂。通过气相沉积获得的材料晶体结构通常为六方晶系，具有良好的光学性能。

1.1 低温光致发光特性

在细GaN纳米线（直径范围10 - 50 nm，部分纳米线直径小于11 nm的玻尔半径）的低温光致发光光谱中，观察到了量子限域效应。而棱柱形GaN纳米棒则表现出具有多个与缺陷相关谱线的宽光致发光。在阳极氧化铝模板中制备的GaN纳米线也显示出宽发光，可拟合为位于363 nm、442 nm和544 nm的三个峰。不过，黄色缺陷带在GaN纳米结构中并不常见，尽管在相对低温下合成的GaN纳米线可能同时表现出蓝色和黄色缺陷发光。

1.2 生长方法与特性总结

生长方法	源材料	晶体结构	光学特性
多种溶液和气相方法	多种	通常为六方晶系	良好，部分有蓝、黄缺陷发光

2. 氮化铝（AlN）纳米结构

与氮化硼（BN）和氮化镓（GaN）纳米结构相比，氮化铝纳米结构的研究不够全面。

2.1 纳米晶体的制备

AlN纳米晶体可以通过多种方法制备，常见的是溶剂热法。例如，通过