31、场效应晶体管（FET）及相关电子元件知识详解

场效应晶体管（FET）及相关电子元件知识详解

1. 场效应晶体管（FET）基础

1.1 MOSFET 衬底连接

许多 MOSFET 有第四个连接端，即体端子，它连接到元件其余部分所安装的衬底，并与沟道形成二极管结。通常，体端子与源极端子短路，这在目前使用的原理图符号中有所体现。不过，也可以利用体端子来改变 MOSFET 的阈值栅极电压，在 N 沟道 MOSFET 中使体端子比源极端子更负，在 P 沟道 MOSFET 中使体端子更正。图 29 - 20 和图 29 - 21 分别展示了耗尽型和增强型 MOSFET 带有体端子的原理图符号变体。

1.2 FET 变体

除了之前讨论的类型，还有一些 FET 变体：
- MESFET ：即金属 - 半导体场效应晶体管，由砷化镓制成，主要用于射频放大。
- V 沟道 MOSFET ：通常缩写为 VMOS FET，具有 V 形沟道。大多数 FET 只能处理小电流，而 V 沟道 MOSFET 能够承受至少 50A 的持续电流和高达 1000V 的电压，因为其沟道电阻远低于 1Ω。这些器件常被称为功率 MOSFET，常见于开关电源中。
- Trench MOS ：也叫 Trenchgate MOS，它促使电流垂直流动而非水平流动，并通过其他创新设计实现更低的沟道电阻，允许在产生最小热量的情况下通过大电流，在汽车行业正逐渐取代机电继电器。

1.3 FET 值

JFET 数据手册中常见的最大值参数包括：
|参数|含义|