SI3445DV-T1-GE3-VB一款P—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

**VBsemi P-Channel MOSFET SI3445DV-T1-GE3-VB**

- **品牌：** VBsemi
- **参数：**
  - P-Channel沟道
  - 额定电压：-60V
  - 额定电流：-6.5A
  - 导通电阻（RDS(ON)）：50mΩ @ VGS=10V
  - 阈值电压（Vth）：-1V 到 -3V
- **封装：** SOT23-6

**产品简介：**

SI3445DV-T1-GE3-VB是一款P-Channel MOSFET，由VBsemi生产。它具有高耐压和低导通电阻特性，适用于多种电源管理、开关和驱动电路。

**详细参数说明：**

1. **额定电压（VDS）：** -60V的额定电压使得该MOSFET适用于广泛的应用场景，包括低至中等功率的电路设计。

2. **额定电流（ID）：** -6.5A的额定电流表明它能够处理中等功率负载，适用于多种电源管理和驱动电路。

3. **导通电阻（RDS(ON)）：** 在10V的栅极-源极电压下，导通电阻为50mΩ，这意味着在导通状态下，器件会产生较低的功率损耗。

4. **阈值电压（Vth）：** 阈值电压在-1V到-3V之间可调，这使得器件易于控制，适用于高效率的电路设计。

**适用领域和模块举例：**

1. **电源管理：** 可用于负载开关、电源逆变器和电池管理系统等。

2. **驱动器：** 适用于电机驱动器、LED驱动器和风扇驱动器等。

3. **开关电路：** 用于开关模块、DC-DC转换器和稳压器等电路设计。

综上所述，SI3445DV-T1-GE3-VB是一款性能可靠的P-Channel MOSFET，适用于多种低至中功率的电源管理、开关和驱动电路应用。