QM2403J-VB一款P—Channel沟道SOT89-3的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号：QM2403J-VB

品牌：VBsemi

参数说明：

- 沟道类型：P-Channel
- 最大工作电压：-30V
- 最大电流：-5.8A
- 开态电阻：50mΩ @ VGS=10V
- 阈值电压：Vth=-0.6~-2V
- 封装类型：SOT89-3

产品简介：

QM2403J-VB是一款P-Channel沟道场效应晶体管，由VBsemi生产。该器件具有-30V的最大工作电压和-5.8A的最大电流容许值。采用SOT89-3封装，适用于各种电路设计，提供可靠的功率开关控制和高效的性能。

详细参数说明：

1. 沟道类型：P-Channel
2. 最大工作电压：-30V
3. 最大电流：-5.8A
4. 开态电阻：50mΩ @ VGS=10V
5. 阈值电压：Vth=-0.6~-2V
6. 封装类型：SOT89-3

适用领域和模块示例：

1. 便携式设备：QM2403J-VB适用于便携式设备中的电源管理模块、充电保护电路等，如智能手机、平板电脑等。其小巧的封装和高效的性能使其成为这些设备的理想选择。

2. 电源开关：在各种电源开关电路中，QM2403J-VB可用于实现电源的开关控制和管理，如开关电源、逆变器等。其低开态电阻和可靠的特性使其成为电源开关电路的重要组成部分。

3. 电池保护：在便携式电子设备中，需要对电池进行保护，以防止过放电、过充电等情况。QM2403J-VB可用于充电保护电路和电池管理系统中，确保电池的安全性和稳定性。

4. 汽车电子：在汽车电子系统中，QM2403J-VB可用于车载电源管理、驱动器和控制系统等应用，提供可靠的性能和稳定的控制。