FQD30N06TM-VB一款N—Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

## 产品简介：

**型号：** FQD30N06TM-VB  
**品牌：** VBsemi  
**封装：** TO252  

FQD30N06TM-VB是一款N沟道MOSFET，具有60V的漏极-源极电压承受能力和45A的漏极电流承受能力。它设计用于提供低导通电阻和优秀的性能，适用于多种领域和模块。

## 参数说明：

- **N沟道沟道MOSFET**
- **漏极-源极电压（VDS）:** 60V
- **漏极电流（ID）:** 45A
- **导通电阻（RDS(ON)):** 24mΩ @ VGS=10V, 20V
- **阈值电压（Vth):** 1.8V
- **封装类型:** TO252  

## 应用领域和模块示例：

1. **电源模块：** FQD30N06TM-VB的高漏极电流承受能力和低导通电阻使其成为电源模块的理想选择，尤其是在需要高效率和稳定性的场合。

2. **电机驱动：** 由于其高电压承受能力和低导通电阻，这款MOSFET非常适合用于电机驱动模块，能够提供高效率和可靠性。

3. **电动车电池管理系统（BMS）：** 在电动车电池管理系统中，FQD30N06TM-VB可用于电池的保护和管理，确保电池系统的安全和稳定性。

4. **LED照明：** 在LED照明系统中，这款MOSFET可以用于调光和控制LED灯的亮度，提供高效的能源管理。

5. **工业自动化：** 在工业自动化控制系统中，FQD30N06TM-VB可用于驱动各种执行器和电机，实现高效的自动化生产流程。

FQD30N06TM-VB的特性使其适用于多种领域和模块，为电子系统提供高性能和可靠性。